小论文-Ti-Si-N表面生长KC并行仿真.docVIP

PAGE PAGE 2Ti-Si-N薄膜仿真田伟伟（内蒙古科技大学 机械工程学院 05机械2班）摘要：本文从薄膜生长理论，仿真的方法，KMC程序实现等几个方面论述了Ti-Si-N薄膜仿真技术，然后对KMC仿真程序的结果作出总结。关键词：薄膜生长理论；计算机模拟；KMCAbstract：This article provides of Ti-Si-N film mulation technology ，Form theory of thin film growth，simulation method and KMC procedures to achieve，And KMC simulation program on the summary.Key Words: Theory of thin film growth; Simulation;KMC;随制造业的快速发展，一次性设计必须在越来越短的时间内进行重新设计。数字工厂彻底改变传统设计方式，从概念的提出，技术支持到工艺的安排及工艺参数的选取等一系列的过程在现实实现之前得到虚拟环境中模拟、优化。数字工厂可以制造出质量更好的产品，还降低了成本，缩短了时间，提高了效率。薄膜工艺在现代社会有着非常重要的地位，随着现代微电子及光电子工业向着集成化和微型化的发展趋势，预计21世纪分子/电子器件尺寸将是在nm量级。这些材料都是在非平衡态下通