第15讲 量子霍尔专题.pptxVIP

量子霍尔效应专题 霍尔效应 整数量子霍尔效应 分数量子霍尔效应 反常量子霍尔效应 霍尔效应的发现 1878年，正在约翰霍普金斯大学读研究生的霍尔(E. H. Hall, 1855~1938)发现，置于磁场内的固体导体中通以垂直于磁场的电流，导体垂直于磁场和电流的方向会产生与磁场成正比的电压。这一现象被命名为“霍尔效应”。 E.H. Hall: On a New Action of the Magnet on Electric Currents. American Journal of Mathematics vol 2, 1879, p.287-292 霍尔效应形成的原理 电子导电的情形 VH L W d + I B EHn x y z + - 空穴导电的情形 VH L W d + I B EHp x y z - + 霍尔系数 霍尔效应的应用 整数量子霍尔效应 1978年~1980年，冯·克利青(K. von Klitzing, 1946~)等人发现，在在15T强磁场和低于液氦温度下的Si-MOSFET中，二维电子气的霍尔电阻与栅电压呈现出量子化的平台，即整数量子霍尔效应(IQHE) 冯·克利青因此获得1985年诺贝尔物理学奖 二维电子气的独特性质 量子霍尔效应的观察 量子霍尔效应的观察 整数量子霍尔效应的解释 外加磁场二维电子气形成分立的朗道能级 如果材料有缺陷，会使朗道能级的简并度降低，朗道能级展宽成有限宽度的局域态 扩展态：原朗道能级态，可在整个平面内自由移动的电子态 局域态：由缺陷导致的态局域在缺陷附近 整数量子霍尔效应的解释 当电子态密度增加或磁场降低时，局域态被逐步填充，但扩展态占据数没有改变，因此，电流不变，霍尔电阻不变，形成一个台阶，只有电子密度在电压下增加到占据更高的朗道能级时，传导电子才增加，霍尔电阻突然变化 栅电压变化使得费米能级在能隙(局域态)中时，对应霍尔电阻平台； 费米能级在朗道能级(扩展态)时，对应霍尔电阻突然增加 如保持栅电压不变(相当于费米能级不变)，只改变磁场，朗道能级及局域态整体压缩或伸展，也可以引起霍尔电阻发生类似的变化 整数量子霍尔效应的解释 填充时，局域态对电流没有贡献，因此对应电阻平台，只有填充到更高级的朗道能级，才进入下一个平台似乎已经很好地解释了整数量子霍尔效应? 整数量子霍尔效应的解释 两个未解问题： 对应霍尔电阻平台为什么纵向电阻为零？ 朗道能级展宽后，霍尔电阻平台数值是否还正好等于实验值？ 从磁通量子理解量子霍尔效应 从磁通量子理解量子霍尔效应 量子超流体理解量子霍尔效应 前面遗留的两个问题现在可以解释 基态和激发态之间存在能隙，Landau能级间隔。在极低温下，超流体粒子不能获足够的能量跃迁到激发态，但低能态又全被占满，无处可去，挤在一起，形成所谓的超流， 不会受散射，故沿栅电场方向电阻Rxx=0，对应ρH平台 磁场增加，破坏配对，开始破坏超流态，达到一定程度后，不再有超流态性质，霍尔电阻平台被破坏 j为整数时，这幅图象比较简单*纵向电阻为零得到了解释* 平台的数值与von Klitzing常数的关系也得到了解释 分数量子霍尔效应 1982年，崔琦(D. C. Tsui, 1939~)、斯托默(H. L. Störmer, 1949~)在更低的温度(0.5K)、更强的磁场(20T)、更低的载流子浓度下发现了分数量子霍尔效应(FQHE) 同年由劳弗林(R. B. Laughlin, 1950~)作出理论解释 三人共同获得1998年诺贝尔物理学奖 分数量子霍尔效应 对于整数量子霍尔效应的单粒子图象不再适用：实验条件指明是强关联！ 新稳定态好象在电子填充朗道能级到一个分数时产生！而且分母都是奇数！ 朗道能级中间还有新的态，态与态之间有能隙？ 分数量子霍尔效应的直观图景 不可压缩的量子超流体 这样的圆饼箭头串形成不可压缩量子流体，称为量子超流体 这种量子超流体的状态与填充因子j有关 压缩一个系统，等于改变电子密度，改变j。当面积和磁场都固定时，这样的改变都要改变能量，有空隙的存在 但当磁场增加或减少，磁通量变而电子数不变时，不会立即改变整个量子超流体的状态。这时，会出现有些圆饼（电子）少一个箭头（磁通），或有些箭头（磁通）没有圆饼（电子）这样的缺陷。这样的缺陷积累多了，达到一定程度，整个系统就不再是量子超流体，纵向电阻不为零，霍尔电阻发生改变 栅电压变化时，改变电子数，结果也一样 量子反常霍尔效应 Quantum Anomalous Hall Effect- by QK Xue’s group Quantum Anomalous Hall Effect 量子反常霍尔效应 Quantum Anomalous Hall Effect Apply a magnetic