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第6章半导体二极管及整流电路
第6章 半导体二极管及整流电路 本章要求: 理解PN 结的形成及其单向导电性 理解半导体二极管的结构及性质 掌握半导体二极管整流电路及原理 了解常用滤波电路原理 掌握稳压管性质和稳压原理 6.1 PN 结及其单向导电性 定义: 导电性能介于导体和绝缘体之间。 导体:电阻率 10-5—10-6 ? ?cm(mm)2,如铜、铝 半导体:电阻率≥10? ?cm(mm)2 ,如硅、锗 绝缘体: 106 —1010 ? ?cm(mm)2 ,如陶瓷、橡胶 性质:在不同的条件下,导电性会发生显著变化,这使半导体的作用大大增强。 光敏性 热敏性 掺杂性 下一页 上一页 返回 6.1.1 半导体基础知识 第6章 半导体二极管及整流电路 1. 本征半导体:纯净晶体结构的半导体。 (3)在电场力的作用下,自由电子和空穴定向移动,成为载流子。 (1)原子结构:外层有4个电子,形成共价键,相对稳定。 (2)在热或光的激发下可产生自由电子和空穴。 下一页 上一页 返回 如:锗和硅。 半导体导电特点 第6章 半导体二极管及整流电路 2. 杂质半导体 自由电子是多数载流子, (1)N 型半导体 在本征半导体(如:硅)中掺入少量的5价元素磷P,晶体结构不变,但一些位置上的硅原子被磷原子替代。 形成共价键后,多出的电子成为自由电子。 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 空穴是少数载流子。 (3)P型半导体和N型半导体呈电中性。 (2)P型半导体 在本征半导体中掺入少量的3价元素硼B,晶体结构不变,但一些位置上的硅原子被硼原子替代。 形成共价键后,出现一个空穴。 空穴是多数载流子, 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 自由电子是少数载流子。 1、 PN 结的形成 6.1.2 PN 结及其单向导电性 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 2、PN结的单向导电性 (1) PN结正向偏置:外电场减弱内电场的作用→多数载流子的扩散运动增强→扩散电流增强→形成连续正向电流。 正向偏置时,PN结导通,正向电阻很小。 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 (3)结论:PN结具有单向导电性。 (2) PN结反向偏置:外电场增强了内电场的作用→多数载流子的扩散运动终止→扩散电流消失。 反向偏置时, PN结截止,反向电阻很大。 但存在少数载流子形成的反向漂移电流,很小,可以忽略不计。 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 6.2 半导体二极管 6.2.1 二极管的结构 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 6.2.2 二极管的伏安特性 二极管两端电压与通过管子的电流之间的关系。 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 6.2.3 几种常用的特殊二极管 1.稳压二极管 稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。 伏安特性如图: 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 稳压管工作在反向击穿区。 反向特性区:反向电压在一定范围内变化时,反向电流很小;当反向电压增高到击穿电压时,反向电流突然剧增,稳压管击穿。 反向击穿时的特点:电流在很大范围内变化,但稳压管两端的电压变化很小。这就是稳压管的电流调节作用。 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 2.光电二极管 也称光敏二极管,是一种将光信号转换为电信号的半导体器件,由光敏半导体材料制成。 光电二极管常作为光电控制器件或用来进行光的测量。 光电二极管是在反向电压下工作的。 无光照时,反向电流很小,称为暗电流;有光照时,其反向电流随光照强度增加而增大,称为光电流。 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 发光二极管常用作显示器件,除单个使用外,还可制成七段式或点阵式显示器。 3.发光二极管 简称LED,是一种将电能转换为光能的半导体器件。 当PN结有正向电流通过时即可发光。 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 例6.1 图示电路中,试求下列几种情况下输出端电位VY及各支路电流。(1)VA=VB=0V;(2)VA= +3V,VB= 0V;(3)VA=VB= +3V。二极管的正向压降忽略不计,反向电阻为无穷大。 解:(1)VA=VB=0V时 则电阻中的电流: VDA和VDB中的电流: 二极管VDA和VDB均导通,输出端电位: 第6章 半导体二极管及整流电路 下一页 上一页 返回 第6章 半导体二极管及整流电路 下一页 上一页 返回 (2)VA= +3V,VB
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