N型半导体中的电子产生.PPTVIP

第一章 常用的半导体器件;1.1.1 本征半导体;通过一定的提纯工艺过程，可以将半导体制成晶体。;一、本征半导体的晶体结构; 常温下价电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，本征半导体的导电能力很弱。; 半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。;电子空穴对D:\模电\第1章 常用半导体器件\动画\电子空穴对的产生.avi的产生;+4;二、本征半导体中载流子的浓度;1.1.2 杂质半导体;杂质原子可以提供电子，称之为施主原子。;二、P型半导体;杂质半导体简化模型;1.1.3 PN结; 在P型半导体和N型半导体的交界面处，两种载流子的浓度差很大，载流子进行扩散运动。;－;扩散电流等于漂移电流，PN结内没有电流流过。;二、 PN结的单向导电性; (1) PN结加正向电压时的导电情况; (2)PN结加反向电压时的导电情况 ;PN结外加正向电压，具有较大的正向扩散电流；; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;三、PN结的电流方程; 当PN结外加正向电压，且u UT时，;①齐纳击穿;;五、PN结的电容效应;(1) 势垒电容Cb;(2) 扩散电容Cd;;(3) 结电容Cj