第四章 CVD工艺6.pptVIP

?封闭式（闭管沉积系统）CVD 三、CVD方法简介 ?封闭式（闭管沉积系统）CVD 闭管法的优点：污染的机会少，不必连续抽气保持反应器内的真空，可以沉积蒸气压高的物质。 闭管法的缺点：材料生长速率慢，不适合大批量生长，一次性反应器，生长成本高；管内压力检测困难等。 闭管法的关键环节：反应器材料选择、装料压力计算、温度选择和控制等。 三、CVD方法简介 LPCVD原理 早期CVD 技术以开管系统为主， 即Atmosphere Pressure CVD (APCVD)。 近年来，CVD技术令人注目的新发展是低压CVD技术，即Low Pressure CVD（LPCVD）。 LPCVD原理与APCVD基本相同，主要差别是： 低压下气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。 四、低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD原理 四、低压化学气相沉积（LPCVD） LPCVD优点 （1）低气压下气态分子的平均自由程增大，反应装置内可以快速达到浓度均一，消除了由气相浓度梯度带来的薄膜不均匀性。 （2）薄膜质量高：薄膜台阶覆盖良好；结构完整性好；针孔较少。 （3）沉积过程主要由表面反应速率控制，对温度变化极为敏感， 所以，LPCVD技术主要控制温度变量。LPCVD工艺重复性优于APCVD。 （4）卧式LPCVD装片