第三章 BJT晶体管6.pptVIP

* 3.3.1 载流子分布与电流分量 二、发射区少子空穴分布及其电流： 边界条件： 中性发射区空穴稳态方程 * 3.3.1 载流子分布与电流分量 若 ?? ，（3-3-11）式可以写作： 空穴电流为： * 3.3.1 载流子分布与电流分量 三、集电区少子空穴分布及其电流 边界条件： * 3.3.2 正向有源模式 一、少数载流子分布 在 的情况下，以及正向有源区的条件下 简化为： * 3.3.2 正向有源模式 当Xb/Ln=0.1（基区宽度小于扩散长度）时，正向有源模式下的各区少子分布如图3-11所示。 图3-11 正向有源模式下晶体管各区少数载流子分布 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 在正向有源模式下 ，且 有： * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 当晶体管处于放大状态 由上式可知：发射结电子电流随基区宽度的减小而增加 对于小的 ，运输因子接近于1，这意味着在越过基区的运输过程中，电子损失可以忽略。 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量 空穴电流 正偏压发射结空间电荷区复合电流： 集电区空穴电流 * 3.3.2 正向有源模式 二、电流分量