配位数晶胞参数.PPT

* * 第八章 金属的结构和性质 在100多种化学元素中, 金属约占80%。 金属的特性 不透明 且有金属光泽； 高的导电性和传热性； 高的机械强度和延展性。 金属的特性是金属内部电子结构及晶体结构的外在反映。 金属键——金属原子间形成的较强的作用。 第八章 金属的结构和性质 §8-1 金属键 一、金属键的自由电子模型 根据自由电子模型，金属中的电子类似于三维势箱中运动的粒子 ，其 方程为： 自由电子模型 第八章 金属的结构和性质 解此方程得: 第八章 金属的结构和性质 自由电子模型完全忽略电子间的相互作用, 也忽略了原子实形成的周期势场对自由电子的作用, 处理结果当然与真实金属有差距, 后来发展了“近自由电子模型”。 电子由局限某个原子周围运动 扩展到整个金属运动, 能量降低。 金属键 的本质 第八章 金属的结构和性质 二、金属键的能带理论 能带理论可以看成是多原子分子轨道理论的极限情况。将整块金属当作一个巨大的超分子体系，晶体中N个原子的每一种能量相等的原子轨道，通过线性组合，得到N个分子轨道。它是扩展到整块金属的离域轨道。由于N 的数值很大（～1023数量级）, 得到的分子轨道间的能级间隔极小，形成一个能带。 第八章 金属的结构和性质 每个能带在固定的能量范围, 内层原子轨道形成的能带较窄, 外层原子轨道形成的能带较宽, 各个能带按能级高低排列起来。 满带——已填满电子的能带； 空带——无填充电子的能带； 导带——有电子但未填满的能带。 能带结构 第八章 金属的结构和性质 能带—允许电子存在的区域； 禁带—能带的间隔，电子不能存在的区域。 导体、绝缘体和半导体的能带结构特征 导体具有导带；绝缘只有满带和空带, 且二者之间的禁带较宽(ΔE≥5eV)。 半导体也是只有满带和空带, 但二者之间的禁带较窄(ΔE<3eV）。 第八章 金属的结构和性质 导体、绝缘体和半导体的能带结构特征 导 体 绝缘体 半导体 第八章 金属的结构和性质 §8-2 等径圆球的密堆积和金属单质的结构 若将金属键看作原子间各向同性的相互作用，金属原子在晶体中总是趋向于密堆积的结构，即金属晶体最常见的结构型式是具有堆积密度大，原子配位数高，能充分利用空间的结构。 一、等径圆球的密堆积 1、A1和A3最密堆积 第八章 金属的结构和性质 等径圆球平铺成最密的一层只有一种形式, 即每个球都与 6 个球相切。 等径球密置单层 第八章 金属的结构和性质 等径球密置双层 第二层球堆上去, 为了保持最密堆积, 应放在第一层的空隙上。每个球周围有 6 个空隙, 只可能有3个空隙被第二层球占用。 第八章 金属的结构和性质 等径球密置三层 第三层球有两种放法。其一每个球正对第一层：若第一层为A，第二层为B，以后的堆积按ABAB…重复。 此堆积方式称为六方最密堆积（或 A3 型）。 第八章 金属的结构和性质 第二种放法, 将第三层球放在第一层未被覆盖的空隙上, 形成 C 层, 以后堆积按 ABCABC…重复。此堆积方式为立方最密堆积(或 A1 型)。 第八章 金属的结构和性质 正八面体空隙(a)和正四面体(b) (a) (b) 第八章 金属的结构和性质 在等径圆球的两种堆积方式中，每个球在同一层与6个球相切，上下层各与3个球接触，配位数均为12。 ABCABC ABAB 第八章 金属的结构和性质 立方最密堆积(A1) (a) (b) (a)立方最密堆积侧视图;(b)A1堆积的立方晶胞 (1) 堆积方式 ABCABC 第八章 金属的结构和性质 体对角线方向（111面）为密置层法线方向，晶胞内有四个球代表四个金属原子。 (2) 正当晶胞 立方面心复晶胞 A1密堆积正当晶胞 原子分数坐标： 顶点： (0,0,0) 面心： (1/2,1/2,0) (1/2,0,1/2,) (0,1/2,1/2) 第八章 金属的结构和性质 晶胞参数： 配位数： 球数:八面体空隙数:四面体空隙数 设球的半径为r，晶胞棱长为a 则： (3) 空间占有率 1:1:2 第八章 金属的结构和性质 六方最