实验七MOS场应管常数测试.docVIP

PAGE 实验七 MOS场效应管常数测试实验项目性质：普通实验所涉及课程：半导体物理 微电子器件物理 微电子器件工艺 薄膜电子材料计划学时：2学时实验目的1．熟悉场效应管参数测试仪的使用；2．测量场效应管的饱和漏电流IDSS，夹断电压VDsat开启电压VT和沟道电导gm。实验原理1．饱和漏源电流IDSS定义：栅源电压为0，漏源电压为规定值时的漏极电流称为IDSS。测试原理如图1所示：图1 IDSS测试原理图先设定VDS、Vgs满足测试条件，再按下IDSS键测试参数。2． 夹断电压VP或开启电压VT。定义：漏源电压VDS和漏源电流IDS为规定值时，栅—源间的电压值称为VP（耗尽型）或VT（增强型）测试原理如图2所示图2 VP和VT测试原理图说明： 先设定VDS、IDS满足测试条件，再按下VP（T）键测试参数。3．低频正向跨导gm定义：输出交流短路，漏源输出交流电流与栅—源输入交流小信号电压之比称为跨导gm。测试原理如图3 图3 gm测试原理图 1/（wxRD）??RD??rDS CD — 输出交流短路 Cg——输入耦合电容，其值应足够大，保证栅极小信号通过 Gm——?IDS/?Vgs=V测/（ RD?V gs） 式中 若V gs=10 mV , RD=10