补足説明直流负荷线と交流负荷线について.PPTVIP

次に、Ｒ２の両端の電圧を計算する。 バイアス電圧を求める。 ベース、接地間の電圧は、ＶＲ２＋ＶＢＥであるので また、ＶＢＥは、０．６Ｖから０．７Ｖ程度であるので2.76+0.7=3.46V この電圧をＲ３、Ｒ４の分圧で作るものとすると次式が成り立つ 上の式より、Ｒ４＝６．３５ｋΩとなる通常は、Ｒ４に流れる電流はＩＢの２０倍以上を選ぶ また、一般にトランジスタのＶＢＥは、温度変化にたいして-0.25mV／℃の変化があり温度上昇とともに、ＶＢＥが下がりＩＢが増加するＩＢが増加するとＩＣが増加しＲ２の両端電圧があがりＩＢの増加を減らす動作をして温度補償的動作を行う。よってこのバイアス回路を電流帰還バイアスという。 ３．２．３　１石低周波増幅回路のシミュレーションをしよう。 General?Sources?+V 10V Place General?Instruments?Signal Gen 　10mV?Place 以下省略 Analyses Setup シュミレーションで電圧増幅度は いくつぐらいか確かめよう！ 入力電圧 出力電圧 ３．２．４　周波数特性を見よう Anaiyses Setup選択 ＡＣチェックをいれＡＣをクリツク スタート周波数１Ｈｚ　最終周波数１００ＫＨｚ Octaveにチェック　ＯＫ をクリックして右のＬｏｇにチェック ３．３　トランジスタ回路例 移相発振器 出力の位相を１２０度づつ３段にずらし入力で 同相になり信号が成長し発振する。 発振周波数は シミュレーションでは、発振電圧が成長しているのが理解できる。 わりと綺麗な正弦波である。 マルチバイブレータ 矩形波の発生回路で手軽に電源電圧に、等しい振幅の出力が得られる。 Ｔ＝０．７Ｃ１?Ｒ３　　Ｃ１＝Ｃ２　Ｒ３＝Ｒ４ モノステーブルマルチバイブレータ 入力のトリガ信号（この回路の場合立ちあがり）に同期して一定の幅のパスルを出力する回路 出力パルス幅は、Ｔ＝０．７?Ｒ３?Ｃ１である フリップフロップ（双安定マルチ） この回路は、２個の安定点をもち、２進カウンタおよび１ビットのメモりーの基本である ４．ＦＥＴ（Field Effect Transister)電界効果トランジスタ 電気伝導に関与するのが、Ｎチャンネル型は、電子だけ、Ｐチャンネル型の場合は正孔（ホール）だけよってユニポーラトランジスタともいう（電気伝導が、正孔と電子の双方のものをバイポーラトランジスタ） ゲート構造による分類　　　　　　　1.接合型 2.ショットキー型 3.ＭＯＳ型 記号の矢印の向きは電流の流れる方向（順方向バイアスの方向）しかしＦＥＴはゲートに電流が流れない領域で使うデバイスなのでゲートーソース間に加える電圧は逆バイアスで使うのである。 ４．１伝達特性の違いによる３つの動作モード ４．２データシート 　　　　項　　　　　　目 記号 　　　　　測定条件 最小 標準 最大 単位 ゲートードレインじゃ断電流 ＩＧＳＳ VGS=-30V VDS=0 -1.0 nA ゲートードレイン間降伏電圧 ＶＧＤＳ VDS=0 IG=-100uA -50 V ドレイン電流 ＩＤＳＳ VDS=10V VGS=0 0.3 6.5 mA ゲートーソース間しゃ断電圧 ＶＧＳ VDS=10V ID=0.1uA -0.4 -5.0 V 順方向伝達アドミタンス ｜Ｙｆｓ｜ VDS=10V VGS=0 f=1KHz 1.2 mS 入力容量 Ｃｉｓｓ VGS=0V VDS=0 f=1MHz 8.2 pF 帰還容量 Ｃｒｓｓ VGD=-10V VDS=0 f=1MHz 2.6 pF 雑音指数 Ｆ VDS=15V VGS=0 TG=100kΩf=120Hz 0.5 5.0 dB ２ＳＫ３０ＡＴＭの電気的特性（Ｔａ＝２５℃） ＩＤＳＳ分類　R:0.30-0.75 O:0.60-1.4 Y:1.2-3.0 GR:2.6-6.5 ●ゲートードレインしゃ断電流ＩＧＳＳ ソースドレインを接続し、ゲートーソース間に逆方向電圧としてＶＧＳを加えたときに、ゲートーソース間に流れる電流 ●ゲートードレイン間降伏電圧Ｖ（ＢＲ）ＧＤＳ ゲートとソースを接続し、ＶＧＳ間に逆方向に電圧を加えていきゲート電流が例えば、－１００ｕＡ流れた時の電圧 ●ドレイン電流ＩＤＳＳ ゲートとソースを接続し（ＶＧＳ＝０Ｖ）ドレインーソース間に、例えば１０Ｖ加えたつきに流れる電流、非常にバラツキが多いのでランクに分けられている ●ゲートーソース間しゃ断電圧ＶＧＳ（ＯＦＦ） ドレインーソース間に電圧ＶＤＳ（この例では１０Ｖ）加えた状態で、ゲートーソース間に逆方向電圧を加え、