半导体器件之pn结器件4.pptVIP

* 温度效应对PN结二极管正、反向I－V特性的影响如下图所示。可见，温度升高，一方面二极管反向饱和电流增大，另一方面二极管的正向导通电压下降。 短二极管在前面的分析中，我们假设理想PN结二极管N型区和P型区的长度远大于少子的扩散长度。实际PN结中往往有一侧的长度小于扩散长度，如下图所示，N型区的长度WnLp，此时N型区中过剩少子空穴的稳态输运方程为： 其在x=xn处的边界条件仍然为： 而另一个边界条件则需要做适当的修正，通常我们假设在x=xn+Wn处为欧姆接触，即表面复合速度为无穷大，因此过剩载流子浓度为零。由此得到另一个边界条件为： 对于上述关于N型区中过剩少子空穴的稳态输运方程 来说，其解的形式仍然为： 再利用上述两个边界条件，可得稳态输运方程最终的解为： 对于WnLp的条件，我们还可以对上式做进一步的简化，因为此时有： 再利用上述两个边界条件，可得稳态输运方程最终的解为： 由上式可见此时短N型区中过剩少子空穴的浓度呈线性分布。N型区中少子空穴的扩散电流密度为 因此在短N型区中，少子空穴的扩散电流密度为： 由此可见，在短N型区中，少子空穴的扩散电流密度保持不变，即在短N型区中少子空穴的复合作用基本上可以忽略不计。 对于三种可能的N型区长度，下表总结了三种情况下的空穴电流密度表达式，与此类似，对于不同的P型区长度，同样可以给出三种情况下的电子电流密度表达式。 小节 势垒高度和载