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5.2.3 主要参数 1.最大整流电流 IOM 2.最大反向工作电压URM 二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。 二极管正常工作时允许承受的最大反向工作电压。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是UBR的一半。 3. 最大反向电流 IRM 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要大几十到几百倍。 1. 理想二极管 U 0,VD导通;UD=0,I取决于外电路;相当于一个闭合的开关 E VD I UD E I U U ?0,VD截止;I=0, UD(负值)取决于外电路;相当于一个断开的开关 E VD I反 UD E I反 U 5.2.4 应用举例 2.二极管的应用 电路如图示:已知E=5V, ui=10sin?t V R VD E ui uO 解: 此类电路的分析方法: 当D的阳极电位高于阴极电位时,D导通,将D作为一短路线; 当D的阳极电位低于阴极电位时,D截止,将D作为一断开的开关; 将二极管看成理想二极管 ui ? t uO ? t 10V 5V 5V 削波 例1 求: uO的波形 R RL ui uR uo t t t ui uR uo 设?=RC ?? tp,求uo的波形 tp 例2 电路如图示:已知 VA=3V VB=0V 求:VF=? 解: 此类电路的分析方法: 将二极管看成理想二极管。 当几个二极管共阳极或共阴极连接时,承受正向电压高的二极管先导通。 VDB通, VF=0V R VDA A VDB B +12V F 箝位 隔离 例3 5.3 稳压二极管 U I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ 曲线越陡,电压越稳定。 1.结构和符号:结构同二极管 2.伏安特性: 稳压值 同二极管 VDZ 稳压误差 + - + - 3.主要参数 1)稳定电压 UZ 2)动态电阻 Z Z I U Z r D D = 3)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 4)最大允许功耗 U I UZ IZmin IZmax 4.稳压管与二极管的主要区别 稳压管运用在反向击穿区 二极管运用在正向区; 稳压管比二极管的反向特性更陡。 稳压二极管在工作时应反接,并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用,以保护稳压管;其次是当输入电压或负载电流变化时,通过该电阻上电压降的变化,取出误差信号以调节稳压管的工作电流,从而起到稳压作用。 UO VDZ R RL + - 已知图示电路中,UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA,负载电阻RL=600 Ω,求限流电阻R的取值范围。 R IR UO VDZ RL IL IDZ + - UI=10V 解: 由: 得: u i O △u △i IZ UZ IZM 例4 5. 4 半导体三极管 5.4.1 三极管的基本结构 NPN型 PNP型 B E C 基极 发射极 集电极 N N P P P N B E C 发射极 集电极 基极 基区:较薄,掺杂浓度低 集电区:面积较大 发射区:掺 杂浓度较高 B E C 基极 发射极 集电极 N N P B E C 基极 发射极 集电极 N N P 发射结 集电结 1. 放大状态 B E C N N P EB RB Ec RC 5.4.2 三极管的工作原理 放大的条件:发射结正偏,集电结反偏 EB保证发射结正偏,ECEB保证集电结反偏。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IB ,多数扩散到集电结。 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。 IE IB RC IB 从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成IC。 B E C N N P EB RB Ec IE IC IB IC RC IB IC与IB之比称为电流放大倍数 静态电流放大系数: 动态电流放大系数: 通常: B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 注意! 只有:发射结正偏,集电结反偏,晶体管才能工作在放大状态。 2. 饱和状态 当三极管的UCEUBE时,BC结处于正向偏置,此时,即使再增加IB,IC也不会增加了。?饱和状态 饱和的三极管相当于一个闭合的开关 3. 截止状态 当三极管的UBEUT时,BE结处于反向偏置。 ?截止状态 饱和的三极管相当于一个断开的开关 5.3.4 三极管的特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路: 输入特性: 输出特性: 发射结电压UBE与基
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