半导体分立器件测试仪4.docVIP

SIMI2939半导体分立器件测试仪一、产品特点：测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定可靠，具有保护系统和被测器件的能力。被测器件可通过图形显示，系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率低，在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。二、测试参数二极管??????VF、IR、BVR2． ?稳压（齐纳）二极管???VF、IR、BV Z3．? 晶体管???????Transistor（NPN型/PNP型）? VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT?、VBEON4． ? 可控硅整流器（晶闸管）???IGT、VGT、 IH、IL 、VTM 5． ?场效应管???IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS6．? 光电耦合器?????? VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT7．三端稳压器VO、SV、ID、IDV三、测试参数范围晶体管测试参数测试范围ICEOICBOIEBO1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAVCE(sat)VBE(sat)0.10V-30VVBE(VBE(on))0.10V-30VhFE1－99999V(BR)EBO0.10V-30VV(BR)CEOV(BR)CBO10V-30V30V-1499V二极管测试参数测试范围IR1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAVF0.10V-30VV(BR)1V-30V30V-1499V稳压二极管测试参数测试范围IR1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAVF0.10V-30VVZ0.10V-30V三端稳压器测试参数测试范围VO0.10V-30VSV0.10mV-1VID1uA-10mAIDV1uA-10mAMOSFET测试参数测试范围VGS(th)0.10V-30Vgfs0.1mS-1000SRDS(on)10mΩ-100KΩVDS(on)0.10V-30VIGSS1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAIDSS1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAID(on)0-20AV(BR)GSS0.1V-30VV(BR)DSS0.1V-1499V光耦测试参数测试范围VF0.10V-30VIR1nA-100nA100nA-1uA1uA-100uA100uA-10mAVCE(sat)0.10V-30VCTR0.1%-1000%ICEO与IR参数相同V(BR)ECO V(BR)CEO0.10V-30V30V-1499V可控硅测试参数测试范围IGT10uA-200mAVGT0.10V-30VIH10uA-1AIL10uA-1AVTM0.10V-30V四、技术指标1、源的指标压流源 (VA) 电压：设定范围（V）精确度±(0~10)±(12.2mV+0.25%set)±(10~30)±(24.4mV+0.25%set)电流： 测量范围精确度±(0-20)uA±(48.8nA+0.25% set)±(20-200) uA±(488nA+0.25% set)±(0.2-2) mA±(4.88uA+0.25% set)±(2-20) mA±(48.8uA+0.25% set)±(20~200) mA±(244uA+0.25%set)±(0.2~2)A（脉冲）±(2.44mA+0.25%set)±(2-20)A（脉冲）±(24.4mA+0.25%set)压流源 (VB) 电压：设定范围（V）精确度±(0~10)±(12.2mV+0.25%set)±(10~30)±(24.4mV+0.25%set)电流： 测量范围精确度±(0-20)uA±(48.8nA+0.25% set)±(20-200) uA±(488nA+0.25% set)±(0.2-2) mA±(4.88uA+0.25% set)±(2-20) mA±(48.8uA+0.25% set)±(20~200) mA±(244uA+0.25%set)高压源（HV）设定范围（V）精确度0~1500±(1.22V+1%set)*1500V时最大输出为1mA。2、电压表的指标测漏电流测量范围精确度±(0~200)nA±(2.44nA+0.25% Rdg)±(0.2-2)uA±(24.4nA+0.25% Rdg)±(2-20)uA±(244nA+0.25% Rdg)±(20~200