四川大学集成电路原理第二章集成电路制作工艺.pptVIP

SOICMOS工艺步骤 氧化 刻蚀硅岛，每一个硅岛就是一个管子的有源区 硅岛注磷 硅岛注硼 生长高质量的栅氧化层 淀积多晶硅 多晶硅掺杂，一般是注磷 刻蚀多晶硅，形成硅栅 多晶硅氧化 PMOS管源、漏区注入 NMOS管源、漏区注入 淀积二氧化硅和磷硅玻璃（PSG），作为金属连线下面的绝缘层 刻引线孔 溅射铝 刻蚀铝，形成金属连线 不需要做阱，简化了工艺、缩小了面积 Bi-CMOS制造工艺 将双极型和CMOS器件制作在同一芯片上 以CMOS工艺为基础的Bi-CMOS制造工艺 以P阱CMOS为基础的Bi-CMOS制造工艺 以N阱CMOS为基础的Bi-CMOS制造工艺 以双极型工艺为基础的Bi-CMOS制造工艺 以双极型工艺为基础的P阱Bi-CMOS制造工艺 以双极型工艺为基础的双阱Bi-CMOS制造工艺 作业1 PN结隔离的双极型集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻的目的是什么？ 一般TTL集成电路与集成运算放大器在选择外延层电阻率上有何区别？为什么？ PN结隔离工艺中PNP晶体管的截面图？ 作业2 简述硅栅P阱CMOS工艺流程，每次光刻的目的是什么？ 简述CMOS工艺的锁定效应，以及如何预防。 以平面工艺为基础，经过多层加工形成。提出要解决的问题。 * 晶圆的制备，此处采用负性光刻胶：未曝光的部分被显影液去掉。 曝光部分被显影掉的是正胶。正胶比负胶的分辨率更高 * I2L电路的特点