RFMEMS的新进展-赵正平-微纳电子技术.PPTVIP

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2018-07-20 发布于天津
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RFMEMS的新进展-赵正平-微纳电子技术

RF MEMS的新进展赵正平中国电子科技集团公司 2010年7月 RF MEMS走向成熟上世纪90年代中期RF MEMS诞生低损耗;0.1-0.2dB,低开态电阻：0.1-0.2欧，低关断电容：2-16fF,高隔离低功耗高线性：优于20-50dB 高Q值：50-400，2-100GHz 大的RF电压摆幅：30-50Vrms 高的功率承载能力：1-10W 一 RF MEMS 开关三微机械谐振器 DC-40GHz单晶硅RF MEMS开关Adam Fraehling,etal,IMS 2009.p1633 单晶硅无缺陷,易重复,适合量产.插损0.3db,隔离30db,开关键时间4us. 快速RF MEMS 开关设计移相器Benjamin Lacroix,etal,EMC 2008,p1505 减小开关面积:40um*40um,25v趋动,开关时间 1us. 20GHz,90,180度移相器:插损0.8db,1.8db, 回波损耗-13db,-11db. 亚微秒RF MEMS 开关电容Balaji Lakshminaravanan,etal,2007MTTS, 小开关电容,单金属臂,双偏压,30V趋动,5V维持,小电流. 电容比5.2,20GHz-70GHz,开关时间0.8us. 10GHz,1W热开关,10亿次. 钨钛 RF MEMS 开关S.Klein,etal,Transducers 2009.p1409. 钨钛合金臂,适应高温400度工艺.高开态,低插损,金属间电容偶合.20-36GHz,插损0.6db,隔离15db. 低应力低驱动电压RF MEMS 开关King Yuk Chan.etal,2009, CWP技术使尺寸小形化,结构:一中心梁,四边弹簧,两锚点.梁上有凹槽加强.弹簧波纹状,弹性常数小于梁. DC-40GHz,插损0.4-0.7db,隔离30db 钼薄膜RF MEMS开关C.Goldsmith,et al.,IMS 2009 150度C,动作电压随温度变化率小于0.03V/C,开关试验大于 200亿次肖特基势垒RFMEMS开关Brandon Pillans,at al.,Jon.MEMS.2008 正偏电压时，开关复合缺陷电荷，延长开关寿命，100亿次未失效 GaAs RF MEMS-MMICR.Malmqvist,et al.,2009 EuMA 标准GaAsMMIC工艺中集成RFMEMS, DC-30GHz,插损0.2-0.4dB 35GHz,1bit移相器，15.9GHz- 19.2GHzLNA,DC-27GHzDPDT 三步高Q可变MEMS电容Nino Zahirovic,et al.,2009 EuMA 动作电压小于12V,调谐频率达10GHz,自谐振频率达24GHz,电容比3：1 圆盘式可变MEMS电容Isak Reines.et al.,2009 IMS 电容变化11.22-17.49pF,0.1-2GHz,Q:50, 低串联电感，可组成可变电容阵列折叠梁可变MEMS电容T.Nagona,et al.,2008IEEE ALN压电薄膜，工作电压+/-3V，最大电容1.5pF,八级步长，每步0.13-0.16pF,Q值 40 RF MEMS 可调谐电容电感调谐范围220%,Q 115,1GHz 轮形抗振,10g,电容变化1% 0-4v,6GHz-3.5GHz 用于振荡器的微机械谐振器折叠梁梳齿端固定伸缩梁边自由点支撑方形体声酒杯/盘式体声环/方ALN FBAR 水平摸式压电MEMS谐振器B.P.Harrington,et al,.2009Transducers. 减少支撑系链中声能的损耗，提高Q值 115MHz,真空下Q值达18000 硅外延封装体摸式MEMS谐振器Kuan-Lin Chen,et al.,2009 IEEE 和CMOS集成相兼容的硅外延真空封装工艺，谐振频率207MHz，Q值6400， f*Q乘积达1.2*10E12 多晶硅环型MEMS谐振器M.Ziaei-Moayyea,et al,.2009Transducers. 2.5um厚多晶硅，五次谐振频率1.95GHz, 室温空气下Q值达8000 多晶硅棒型MEMS谐振器Dana Weinstein,et al,.2009Transducers. 优化介质层厚度和位置，高次谐振6.2GHz,Q值427