2012年《模拟电子技术》作业答案(二).docVIP

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  • 2018-07-16 发布于河北
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2012年《模拟电子技术》作业答案(二).doc

2012年《模拟电子技术》作业答案(二)

作??业?1.第3题影响放大器高频特性的原因是( )。 A.极间耦合电容 B.发射极旁路电容 C.三极管结电容 D.温度 答案:C标准答案:C您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.0?2.第4题硅二极管的死区电压是( )。 A.0.1~0.2V B.0.5V C.0.7V D.0.6V 答案:B标准答案:B您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.0?3.第5题单极型半导体器件是( )。 A.二极管 B.发光管 C.场效应管 D.稳压管 答案:C标准答案:C您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.0?4.第6题电源电路中滤波的作用是( ) A.将正弦波变方波 B.将交流电变直流电 C.将高频信号变成低频信??? D.使脉动直流电压变为平滑的直流电压 答案:D标准答案:D您的答案:C题目分数:2.0此题得分:0.0?5.第7题电路如题图所示,电路引入( )负反馈。 A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联 答案:B标准答案:B您的答案:C题目分数:2.0此题得分:0.0?6.第8题为了展宽频带,应在放大电路中引入( )。 A.正反馈 B.电压负反馈 C.直流负反馈 D.交流负反馈 答案:D标准答案:D您的答案:D题目分数:2.0此题得分:2.0?7.第16题在本征半导体中掺入3价元素就成为( )型半导体。 A.P型半导体 B.N型半导体 C.PN结 D.纯净半导体 答案:A标准答案:A您的答案:A题目分数:2.0此题得分:2.0?8.第17题二极管两端电压大于( )时,二极管才导通。 A.击穿电压 B.死区电压 C.饱和电压 D.放大电压 答案:B标准答案:B您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.0?9.第18题图示电路是( )电路。 A.微分电路 B.积分电路 C.指数电路 D.对数电路 答案:B标准答案:B您的答案:A题目分数:2.0此题得分:0.0?10.第19题在固定偏置放大电路中,调大偏置电阻R?b的数值,容易出现( )失真。 A.饱和 B.截止 C.低频 D.交越 答案:B标准答案:B您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.0?11.第20题负反馈使放大电路增益(??? )。 A.增大 B.下降 C.不变 D.不确定 答案:B标准答案:B您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.0?12.第21题测得NPN型三极管三个电极的电位分别为UC=3.3V,UB=3.7V,UE=3V,则该管工作在( ) A.放大区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 答案:C标准答案:C您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.0?13.第22题在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为6V、11.8V、12V,则这只三极管属于( ) A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 答案:C标准答案:C您的答案:C题目分数:2.0此题得分:2.0?14.第23题图示电路为( )电路。 A.甲乙类OCL B.甲乙类OTL C.乙类OCL D.甲类 答案:A标准答案:A您的答案:C题目分数:3.0此题得分:0.0?15.第26题测得三极管发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于(?? ) A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 答案:B标准答案:B您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.0?16.第27题测得某放大电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是( )。 A.(E、B、C) B.(B、C、E) C.(B、E、C) D.(C、B、E) 答案:C标准答案:C您的答案:C题目分数:3.0此题得分:3.0?17.第36题集成运算放大器采用耦合方式是( ) A.变压器耦合 B.直接耦合 C.阻容耦合 D.光电耦合 答案:B标准答案:B您的答案:C题目分数:2.0此题得分:0.0?18.第37题PN结具有( )导电特性。 A.双向 B.单向 C.不确定 答案:B标准答案:B您的答案:B题目分数:2.0此题得分:2.0?19.第38题场效应管参与导电的载流子是( )。 A.电子 B.空穴 C.多数载流子 D.少数载流子

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