拉晶工艺与单晶炉操作注意事项.ppt

一 稳态温场 温场:温度的空间分布 稳态温场:温度不随时间变化而变化. 稳态温场的建立:炉内单位时间产生的热量等于热量的损耗,才能使炉温保持不变. 热量的产生:加热器的加热功率和晶体生长所释放的结晶潜热. 热量的损耗:热传导损耗，对流损耗和辐射损耗． 热的传输机制 热损耗 单晶生长条件 温度梯度 温度梯度:通过某一等温面上的任意点作通过该点的法线,沿此法线单位长度的温度变化. 合理温度梯度分布:结晶界面的纵向温度梯度应适当的大,使单晶生长有足够的动力.生长界面的横向温度梯度应尽量少一些，保持界面平坦. 放肩阶段 转肩 提高拉速，晶体逐渐进入等径生长。 根据弯月面光环的宽度和亮度，准确地判断直径的变化，要及时调整拉速，保证转肩平滑，并达到目标直径。 理论上,可以通过升高熔体的温度来实现转肩，但升温会增强熔体中的热对流，降低熔体的稳定性，容易产生出现位错. 晶体直径的控制 收尾 收尾的作用是防止位错反延 ,位错反延的距离大约等于生长界面的直径 . 收尾可通过提高拉速，也可通过升高温度的方法来实现. 单晶炉作业流程 安装注意事项 重大事故处理方法 重大事故处理方法 重大事故处理方法 * * 2 4 单晶炉的温场 3 1 拉晶过程常见问题原因分析 3 3 晶体生长工艺 2208型单晶炉台操作注意事项 液体或气体中较热和较冷之间通过循环流动使温度趋于均匀 热量从系统的一部分传到另一部分的现象，是固体中的主要方式 因自身的温度具有向外发射能量的本领，它能不依靠媒介，以电磁波的形式辐射 热传导 热对流 热辐射 Concept 只有在一定的过冷度下，晶核才 会自行长大.一般过冷度越大,晶核 容易长大,结晶就更容易 首先,要具有一定 大小的晶核 其次,有一定的过冷度 (熔态温度低于熔点的度) 多晶转化为单晶的条件: 在熔体中加入一个晶核,也就是籽晶. 控制一定的过冷温度，此过冷度只允许所加入的唯一晶核长大,并不再产生新的晶核 晶体生长过程中固液界面的变化 固液界面:温度为硅凝固点的等温面，它的形状是炉内温场的重要表现． 氧,碳含量 电阻率 单晶质量的品质 少子寿命 引晶 熔体温度稳定后，降下籽晶至离液面3～5mm距离，预热粒晶以减少籽晶与熔体的温度差，从而减少产生的热应力减少位错的产生. 在合适的温度下，界面处会逐渐产生光圈; 温度过高会使籽晶熔断， 温度过低，将不会出现弯月面光环。 一般根据弯月面光环的宽度及明亮程度来判断熔体的温度是否合适。 二 晶体生长工艺 放肩时,刚开始直径增长速率比较慢,之后速率比较快. 为了减少放肩过程中的直径自发增长倾向,可减少放肩角来实现. 采用平放肩工艺，即肩部夹角接近180°，这种方法降低了晶体头部的原料损失 . 收尾 等径 放肩 希望直径不 断减少，需 要提高加热 功率 希望晶体直径不断长大，不断地降低加热功率 坩埚液面下降，坩埚暴露，晶体长度变化造成热损耗变化 等径生长 操作不当 引晶位错没排除 温度梯度不合适 设备故障 吸渣 漏气 断棱原因分析 原因分析 坩埚破裂原因分析 石墨坩埚和石墨托盘的配合 炉内功率的波动 材质因素: SiO2+Si(l)→2SiO(g) SiO2+C→SiO(g)+CO SiO(g)+2C→SiC+CO 石墨坩埚与石英坩埚的配合 石墨件安装 加热器的小螺钉不要拧得过紧，并且四个螺钉用力均匀，否则螺钉容易断裂造成热场打火。确保四个支撑块两两互成90°，对角线上的支撑块在同一直线上。 硅料安装 装料时手套破损一定要及时更换 籽晶安装 不要直接用手接触籽晶，防止汗渍污染籽晶。 安装籽晶时不要旋转籽晶，装好后垂直下拉籽晶，防止有间距而在拉晶时晶棒下滑。 抽空检漏：如果炉子的极限真空压力＞5 Pa，则不 能进入自动检漏工序；如果炉子的漏气速率0.1 Pa/min，则不能进入自动化料工序。此时要做相 应检查，及时处理。 充氩气熔料:若打开的氩气流量值比较大时，要 采用分布递增的方法增大氩气流量，停止时则 要分步递减，这样做可以使氩气流量计不会因 为流量突然变化太大，而发生零点偏移。 放肩:若等径起始阶段直径生长不稳定，可以尝试手动 拉晶。待直径稳定后，再切换到自动。 若此时晶棒直径的实际值与目标值有偏差，可以通过 多次设定接近目标值的方法来达到目标直径。 等径生长:自动模式下的手动调节，只能在原数据的基础上 进行加减操作，且在拉晶恢复正常时，务必将原来设定参 数上的加减项去掉，否则会影响正常拉晶的程序控制。 其他注意事项 停电 首先,在真空下熔硅或拉晶, 关闭真空阀门,打开 放气阀,充氩气至50000Pa; 然后提起单晶,把所有开关旋扭旋到零位 停电时间短时,拉出的一段单晶不值得取出的 时候应熔化重新引晶;停电时间长时,要缓慢提高 坩埚,防止熔硅凝固时胀坏