Week07 纳米电子输运理论 LandauerButtiker输运理论.pdfVIP

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目录 第1章 背景及纳米结构的制备手段 第2章 纳米电子结构及电子态 第3章 电导量子化(Landauer公式)和推广的欧姆定律 第4章 纳米电子输运理论 第5章 金属原子点接触 第6章 专题讨论:热电输运,场效应晶体管, 量子Hall效应等 第4章 纳米电子输运理论 参见: ‘Electronic transport in mesoscopic systems’(1995) by S.  Datta,Chaps.2,3,8 一、 Landauer‐Buttiker 输运理论 Chap.2 二、散射矩阵方法 Chap.3 三、格林函数方法 Chap.3 四、非平衡格林函数方法(NEGF) Chap.8 五、密度泛函+非平衡格林函数方法(DFT+NEGF) 一、 Landauer‐Buttiker 输运理论 参见: ‘Electronic transport in mesoscopic systems ’by S. Datta,Chap.2 量子输运理论、电导和透射几率、应用 1、Landauer 公式 (复习) T ≠0 K Contact 1 Contact 2 μ2 K • Transport takes place through channels in the energy range: Landauer 公式(弹道输运): Total current: 2e I h ∫M (E)T(E)[f 1(E) −f 2 (E)]dE 1 2e2 Or: I e ∫G(E)[f 1(E) −f 2 (E)]dE, G(E) h M (E)T(E) 简化的 Landauer 公式: 2e 所作近似: I MT (μ −μ ) t h 1 2 • 假设T=0 K I 2e2 • 通道数M不依赖于能量 ⇒G MT • 每条通道的传输概率T相同; V h 或T为通道的平均传输概率 线性区Landauer公式小结: I G ⋅V (bias  0.1V ) T (E) M (E)T(E) eV K T (1) B 2 f 2e ∂ G ∫T (E )(− 0 )dE h ∂E 2e2 At low temperature: G T(Ef ) h 若 T(E) 在小的偏压窗口内基本为 (2)

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