四CMOS反相器设计.pptVIP

CMOS反相器的设计 CMOS反相器的设计 一、工艺的选择 二、电路前端设计 三、版图后端设计 四、LVS一致性检查 一、工艺的选择 采用实验使用的工艺。 0.6um N阱 1P2M 硅栅工艺 Layout (Design) Rules (I) Layout (Design) Rules (II) Layout (Design) Rules (III) 二、电路前端设计 确定电路结构 确定所使用的器件 逻辑功能 功耗 输出驱动能力 输入电流 3. 逻辑功能 4. 功耗 4. 功耗 5. 输出驱动能力 5. 输出驱动能力 6. 输入电流 6. 输入电流 三、版图后端设计 1. 加入PMOS、NMOS管 2. 连接PMOS、NMOS管 3. 加入输入接口 4. 加入输出接口 5. 加入电源地 6. 加入PTAP 四、LVS一致性检查 1. 完成DRC检查 2. 生成EXTRACT文件 3. 完成LVS检查 * CMOS反相器的设计 * CMOS反相器是IC设计中结构最简单，并且最具有代表性的器件。 CMOS反相器包括的器件：NMOS、PMOS。 well (N阱): 1a . Minimum nwell width 1.8um 1b . Minimum nwell spacing 2.5um 1c . nwe