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光刻区缺陷管理 作者：张赞彬 美国科天中国公司 -- 半导体国际 - 中国半导体制造业的技术权威网站 2006-12-26 点击:49 浸没式光刻和亚波长光刻技术的引进，光刻变得更为复杂；随着光阻厚度变薄和亚波长透镜的使用，对 HYPERLINK /word/7028.aspx \o 缺陷 缺陷进行有效管理的需求逐渐增加。本文侧重于用 HYPERLINK /word/7031.aspx \o PCM PCM (Photo Cell Monitoring) 缺陷 HYPERLINK /word/7029.aspx \o 检测 检测方式和显影后宏观和微观缺陷检测方式，对光刻缺陷进行监控，以减少缺陷产生。 　　光刻区使用的亚微米技术对缺陷管理的需求日益增大。在亚波长和低介电常数光刻技术下，聚焦-曝光的 HYPERLINK /word/7030.aspx \o 工艺 工艺窗口减小，这就对光刻机台的稳定性有更高的要求。光刻单元由光阻的涂胶（表面处理、光阻涂布、去边和软烤）、对准、曝光和显影（曝光后烘烤、显影、冲洗和硬烤）构成。最新的制程包括涂布薄而均匀的新光阻薄膜，在高度优化的聚焦和照明度下曝光，最终完全去除光刻胶。在这些新工艺和严格的操作条件下，有效的光刻缺陷管理就变得格外关键。　　300mm芯片生产对工艺窗口和缺陷管理有进一步的限制。光刻单元缺陷检测的首要需求是宏观缺陷检测的自动化。它的优点在于提供更高的缺陷捕获能力、更好的重复性和数据分析。 　　从缺陷管理来看，光刻单元有它自己的独特性。首先，在光刻区，缺陷有最大的尺寸分布范围，可从整片晶片大小到亚光学，并具有最广泛的特 性。图1是最普遍的光刻区缺陷：　　1.?这些可归类为涂胶问题、聚焦和曝光缺陷、显影缺陷和去边问题、污染和刮伤。 　　2.?光刻是晶圆厂中除了化学机械研磨工艺外，对由缺陷造成工艺偏差的晶圆进行返工修正。这可以用缺陷检测机制对相关缺陷进行全方位的捕捉来实现。拥有高数值孔径和高解析度成像技术的宏观检测系统最适合这方面的应用。　　3.?光刻区域的缺陷常常没有很好地管理。从人工转为自动化宏观缺陷检测，可提高百分之一到二的成品率。本文我们可以看到成品率能进一步提高的更为直接的方法，包含检测、光刻单元监控、显影后的宏观微观缺陷检测和成像品质管理来检测光罩的完整性。　　目前的先进技术和市场压力再次强调对光刻区缺陷有效管理。晶圆厂需要检测和判断缺陷来源，在 HYPERLINK /word/7032.aspx \o 产品 产品产生缺陷前修正机台。生产过程中，需要对缺陷进行严格的监控，及时探测缺陷造成的工艺偏差，以降低成品率的损失。 　　光刻方法和策略　　缺陷管理可分为以下三个基本模块　　●?原始工艺优化　　●?机台和工艺的日常监控　　●?产品的监控和处理　　每一个模块都有对应的检测机台和取样策略，以达到其独特的要求。图2概述了光刻单元监控的检测站点和检测工具。 　　工艺优化　　新工艺在开发过程中，缺陷来源是多元化的，包含系统和随机性的。特别是在新工艺节点和新工艺引进时，如铜双大马士革 (dual damascene) 工艺、新波长光阻系统或是先进的光学增强技术。系统缺陷是标准缺陷，随机缺陷是造成偏差的缺陷。系统缺陷往往是由未优化的工艺和不匹配的材料造成的，例如由于光阻和显影液相互作用产生的残留或工艺窗口失效；随机缺陷往往会不断地反复发生，典型的代表有：由设备失效引起缺陷、每批货之间的化学差异、颗粒和其它环境问题。由于以上的原因，推荐采用缺陷管理方案，利用检测策略提供对所有缺陷类型的最大捕捉率。这就要求高敏感度的检测策略，甚至是牺牲产能。工艺优化目标包含：　　●?捕捉和判断所有类型缺陷　　●?分析缺陷对成品率的影响　　●?优化工艺实现缺陷最小化　　在这个阶段，需要了解认识所有关键缺陷类型的来源、调试检测机台以有效地捕捉缺陷，规划在线缺陷自动分类系统，根据每种缺陷类型可能出现的频率和杀伤力来设定控制标准。　　在光刻区，高NA和高解析度宽波段波长检测系统，如2800，被推荐使用以实现最多缺陷类型分布范围的最高程度捕获率。同时需要高频率的取样策略，典型地来说，对足够多的晶圆做全晶圆检测，来捕捉由不同的旋涂和显影造成的晶圆和晶圆之间或每批晶圆之间的差异。在高缺陷捕捉率的状态，全晶圆检测的模式通常是采取随机模式。 　　机台和工艺监控　　确定光刻单元有效状态的另一个技术是PCM。光刻缺陷管理系统中图形光刻单元监控晶圆的产生，是为了提高对特定的低对比度缺陷的捕捉率，这种缺陷常常在产品晶圆检测时不容易被捕捉到。硅片上长一层光阻或硅片上长氧化物再长光阻，它们使用与产品相同的光罩或是专门设计的光罩。PCM晶圆的价值在于它只有一层有图形的光阻，这样就有助