单相全桥逆变电路讲解ppt课件.pptVIP

主电路工作原理及设计 主电路工作原理及设计 讲解原理时的单相全桥逆变电路图 实际应用的电路图 主电路工作原理及设计（整流桥选择） 整流桥选择： 以电源输入功率300VA,输出240W设计 整流器额定电压的确定：整流器的额定电压应为最高输入电压有效值3倍以上，其原因是电网中存在瞬态过电压，通常输入电压或输入电压85~265V应选择600V以上耐压的整流器或二极管。 主电路工作原理及设计（整流桥选择） 整流桥额定电流的确定：考虑电网电压波动(±10%波动)则整流滤波最低电压为： Uin,min=(220-22) = ×198=279V， 二极管的平均通态电流为 ： 由于整流器的单向导电性，在输入电压瞬时值小于滤波电容器上电压（整流输出电压）时，整流器不导通，使输入电流变为2~4ms的窄脉冲。这获得所需要的整流输出电流，这个电流窄脉冲的幅值将很高。 主电路工作原理及设计（整流桥选择） 通常将输入电流峰值与有效值的比值称为波形系数，在交流220V输入整流器直接整流时，这个波形系数约为2.6,大于正弦波。整流器输出电流有效值与平均值之比为2~2.2，大于正弦波1.1,峰值电流与平均值之比约为5.5~6。因此，在选择整流器的额定电流时，整流器的额定电流应为输出电流的3~10倍. 所以选择:5A/700V整流桥. 主电路工作原理及设计（滤波电容选择 ） 无极性电容Cin2 的确定：为了供给逆变平滑的直流电压，必须在输入整流电路和逆变器之间加入滤波电容，以减小整流输出后直流电的交流成分。滤波电容一般采用电解电容器，因其滤波电解电容器自身串联等效电阻(Res)和串联等效电感(Les)的存在直接影响滤波效果，所以在电解电容Cin1两端并联高频无极性电容Cin2，使高频交流分量从Cin2中通过。 主电路工作原理及设计（滤波电容选择 ） 去高频干扰电容Cin2其电容量较难确定，因高频干扰包括电网的干扰，也包括电源的干扰，通常可选取Cin2=2(1±5%)μF或该数量级其他电容，只要电容Cin2的耐压峰值满足即可，耐压峰值电压Up=600V)。 (取2μF/630V) 考评项目赋标准分，对照考评内容和考评办法对考评项目进行考评，评出各考评项目的考评实际得分，考评类目下各考评项目考评实际得分之和为该考评类目的考评实际得分 考评项目赋标准分，对照考评内容和考评办法对考评项目进行考评，评出各考评项目的考评实际得分，考评类目下各考评项目考评实际得分之和为该考评类目的考评实际得分 单相全桥逆变电路讲解 基础知识介绍 （MOSFET） MOSFET:可控开，可控关 什么是MOSFET　　“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。 基础知识介绍 （MOSFET） MOSFET的结构 基础知识介绍 （MOSFET） MOSFET体内电容和二极管 基础知识介绍 （IGBT） MOSFET:可控开，可控关 基础知识介绍 （电阻） 电阻：导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、kΩ、MΩ表示。 电阻器的分类 一种分类:固定电阻器（R）、电位器（W）、敏感电阻器、贴片电阻器 基础知识介绍 （电阻） 另一种分类如下： 1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。 2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。 3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。 4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 基础知识介绍 （电阻） 电阻主要特性参数：标称阻值 、允许误差 、额定功率、额定电压 、最高工作电压、温度系数 、老化系数、电压系数 、噪声 等。 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 3、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 4、温度系数 ：阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 基础知识介绍 （电阻） 5.额定功率 ：在正常的大气压力90-106.6KPa 及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2