光刻曝光系统课件.pptx

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光刻曝光系统课件

光学仪器工程及系统设计第六章 光刻曝光系统 光刻曝光系统光刻发展历史1958年世界上出现第一块平面集成电路,在短短的五十多年中,微电子技术以令世人震惊的速度突飞猛进地发展,创造了人间奇迹。人类社会和整个世界都离不开微电子技术。作为微电子技术工艺基础的微光刻技术与微纳米加工技术是人类迄今为止所能达到的精度最高的加工技术。1980年左右曾经有人预言:光刻线宽不能小于1微米;1989年曾经有预言:到1997年光刻技术将走到尽头;1994年也曾经有比较乐观的长期预测,2007年线宽达到0.1微米(保守的预计为0.5微米)。这些预测都被光刻技术神话般进步的步伐远远抛在后头 !过去的几十年证明,通过科学家的努力,人类就有办法实现当时看来已经超过当时光刻工艺物理极限的加工精度,不断地续写着新的神话。 光刻发展历史芯片集成度18个月翻一番,每三年器件尺寸缩小0.7倍的速度发展。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产,正在对半导体设备带来前所未有的挑战摩尔定律微电子技术每十年产生一代的进步第一代第二代第三代第四代第五代十年一代19751995199520152015-2025光刻光源G线I线准分子激光浸没/二次EUV/EBL曝光波长436nm365nm248nm193nm13.5/10-6特征尺寸≧1um1-0.35um0.35u-65nm65-22nm22-7nm存储器bit﹤4M4M-64M64M-1G1G-16G﹥16G主流CPU 8086-386Pentiun proP4多核CPU晶体管104-105106-107108-1091010-10XCPU主频2-33MHz33-200MHz200-3800非主频标准硅片尺寸4-6″6-8″8-12″12-18″主流设计工具LE-PRPR-SynthesisSynthesis-DFMSoC系统设计主要封装形式DIP双列直插QFP平面安装BGA球栅封装SiP系统封装光刻机三巨头据2007年统计,在中高阶光刻机市场,ASML占有份额达60%左右,而在最高阶光刻机市场, ASML占有份额达90%左右光刻发展背景什么是光刻?定义:光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂(或称光刻胶)的硅片上,通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。Lithography = Transfer the pattern of circuitry from a mask onto a wafer. Cell光刻定义Image (on reticle)diewaferImage (on wafer)光 刻 定 义硅片截面光刻工艺的简介硅片截面氧化层的生长在扩散炉,图中为扩散炉表面生长氧化层光刻工艺的简介硅片截面光刻进行加工的片子,都必须经过的步骤-匀胶。上图中为2道匀胶机均匀胶层(正胶)表面生长氧化层光刻工艺的简介硅片截面图中为光刻的核心加工设备-光刻机。经过上版、版对准、上片、片对准后执行曝光。将掩膜图形复印到硅片表面的胶层上均匀胶层(正胶)表面生长氧化层光刻工艺的简介紫 外 线 曝 光 灯硅片截面表面生长氧化层光刻工艺的简介 紫 外 线 曝 光 灯曝光完成后,因为掩膜图形遮挡的原因,只有部分胶膜被紫外光充分照射,化学性质发生了改变(图中橘黄色所示位置被曝光)。硅片截面上图为显影机,构造与匀胶机类似表面生长氧化层光刻工艺的简介曝光完成,接下来的工艺是显影,通过浸泡显影液,被曝光的正性光刻胶或未曝光的负性光刻胶会被溶除。从而实现将掩膜上的图形复印到胶层。硅片截面表面生长氧化层光刻工艺的简介至此,光刻工艺简介告一段落,经过显影后的QC检验后即可送往下步工序。光刻的下步工序为:湿法腐蚀、干法刻蚀、离子注入下图是以湿法腐蚀为例:硅片截面表面生长氧化层光刻工艺的简介通过湿法腐蚀,主要用于去除掉没有光刻胶保护部分的氧化硅层或铝层。利用光刻胶的抗蚀性和阻隔离子的能力,有选择的保护硅片表面的氧化层、氮化硅层、铝层等等,就是光刻工艺的意义。曝光后烘硅片处理涂胶前烘显影坚膜检测光刻工艺总结硅片脱水烘烤。光刻胶需要疏水性的表面,硅片表面薄氧化层成亲水性,HMDS钝化亲水性变成疏水性提高黏附性。或者简单采用硫酸煮片去氧化层。高速旋转涂胶。抗蚀剂浓度。气泡/水汽。正性抗蚀剂/负性抗蚀剂/反转抗蚀剂。硅片边缘形成边胶工艺中易产生缺陷需边胶去除(EBR) 烘箱热对流/红外线辐射/热板传导。挥发光刻胶中的溶剂/增强附着力/缓解胶膜应力/避免粘连。温度太高或时间过长变脆灵敏度变差反之溶解太快。接触式/接近式/扫描投影/分步重复/步进扫描光刻机。灵敏度/分辨率/对比度/抗蚀性/对准套刻精度/CD控制。抗反射涂层(ARC)防止反射切迹和驻波效应。化学放大抗蚀剂必须曝光后烘酸化提高

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