半导体二极管和三极管 14课件.pptVIP

第8章 半导体二极管和三极管;教学内容:;1、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用； 2、了解二极管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 3、会分析含有二极管的电路。;教学重点;教学难点; 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。;8.1 半导体的导电特性;8.1.1 本征半导体; Si;本征半导体的导电机理;8.1.2 N型半导体和 P 型半导体;8.1.2 N型半导体和 P 型半导体; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;8.2 PN结;8.2.2 PN结的单向导电性;2. PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽;（1）热击穿：不可逆，应避免。 （2）电击穿：可逆。又分为雪崩击穿和齐纳击穿。无论发生哪种击穿，若对其电流不加以限制，都可能造成PN结的永久性损坏。;8.3 半导体二极管;阴极引线;8.3.2 伏安特性;1. 二极管的伏安特性;（1）正向特性 当外加正向电压小于死区电压Uth 时，正向电流i≈0。Uth 又称开启电压或门坎电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。 当正向电压继续增大至二极管完全导通后，两端电压基本为定值，称为二极管的正向导通压降。硅管约为0.6~0.8V（通常取0.7V），锗管约为0.2~0.3V（通常取0.2V）。 ;（2）反向特性 外加反向电压时，反向电流很小（I≈－IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流。在室温下，硅管的反向饱和电流比锗管的小得多，小功率硅管的IS小于0.1μA，锗管为几十微安。 当反向电压达到U（BR）时，反向电流急剧增大，二极管击穿。U（BR）称为反向击穿电压，二极管一旦击穿，便失去单向导电性，使用时要注意。 ;2. 温度特性 温度对二极管伏安特性的影响很大，如图1.2.3中虚线部分为温度升高时的特性。特点概括如下： （1）当温度升高时，二极管的正向特性曲线向左移动 ——二极管的导通压降降低。 （2）当温度升高时，二极管的反向特性曲线向下移动 ——反向饱和电流IS增大。 （3）当温度升高时，反向击穿电压U(BR)减小。 ;8.3.2 伏安特性;根据半导体的物理原理，可从理论上分析得到PN结的伏安特性的表达式，此式通常称为二极管方程，即：; 2. 二极管的单向导电性;8.3.3 主要参数;二极管电路分析举例 ;1. 二极管半波整流——利用二极管的单向导电性，将交流电变为单方向的电流;2.钳位—利用二极管正向导通时压降很小，将电位钳制在某一值附近;3. 限幅——利用二极管正向导通后其两端的电压很小且基本不变，使其输出电压的幅值不超过某一数值;电路如图，求：UAB;两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;8.4 半导体三极管;基区：最薄， 掺杂浓度最低;8. 4. 2 电流分配和放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3.三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动规律;8.4.3 特性曲线;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1. 输入特性; 输出特性是只在基极电流IB一定的情况下，集电极与发射极之间的电压uCE与集电极电流iC之间的关系，即;2. 输出特性;IB=0;总结三极管三个工作区的特点;例1 测得工作在放大电路中两个晶体管管脚对地的电位分别如下表所列。试判断管型、电极及所用材料。 ;例 在图 中，给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是硅管还是锗管？处于哪种工作状态？ ;8.4.4 主要参数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流 ICBO;4. 集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;晶体管参数与温度的关系