微电子工艺(1 - RINT.pptVIP

* 电流方向 VMCZ 1）纵向磁场 HMCZ 2）横向磁场 3）尖角形磁场 各种MCZ炉的磁场分布 轴向 北京有色金属总院采用MCZ法生产的12吋硅棒，等经长400mm，晶体重81Kg。 * 2.2 多晶与单晶均由夹具夹着，由高频加热器产生一悬浮的溶区，多晶硅连续通过熔区熔融，在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。 熔区的存在是由于融体表面张力的缘故，悬浮区熔法没有坩埚的污染，因此能生长出无氧的，纯度更高的单晶硅棒。 * 悬浮区熔装置示意图 CZ工艺成熟，可拉出大直径硅锭是目前采用最多的方法，但有氧。 MCZ能生长无氧、均匀好的大直径单晶硅棒。设备较直拉法复杂得多，强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。 悬浮区熔法与直拉法相比，去掉了坩埚，能拉制出无氧高阻单晶，当前FZ硅的电阻率可达5000Ω·cm以上 * 不同生长技术可获得的最小载流子浓度 2 切片工艺流程： 单晶生长 → 切断 → 滚磨 → 定晶向 → 切片→ 倒角 → 研磨 → 腐蚀 → 抛光 →清洗 → 包装 * * 硅片主要晶向、晶型的定位平边 用X射线衍射确定晶向，X射线被晶体衍射时，通过测量衍射线的方位可以确定出晶体取向 切片，（111）（100）切片偏差小于±1°，但外延用（111）片应偏出3±0.5°。 倒角，将切割好的晶片的锐利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生 抛光，单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度的抛光面。抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。??抛光的方式：先粗抛，去除损伤层，一般去除量约在10-20μm；再精抛，改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1μm以下。 * 按直径划分 按单晶生长方法划分 按掺杂情况划分 按用途划分 CZ硅：二极管、外延衬底、太阳能电池、集成电路 MCZ硅：用途和CZ硅相似，性能好于CZ硅 FZ硅：高压大功率器件，可控整流器件 外延硅：晶体管，集成电路领域，如逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在集成电路制造中有更好的适用性 * * 项目 二极管级单晶硅片 生长方式 CZ / MCZ 导电类型 N 参杂剂 磷P 晶向 111 电阻率（Ω.cm） 5-100 电阻率径向不均匀性 ≤15%（MCZ） 直径（mm） 75-103 切方规格（mm） N/A 少子寿命（цs） ≥100 氧含量（atoms/cm3） ≤1×1018 ≤6×1017(MCZ) 碳含量（atoms/cm3） ≤5×1016 ≤1×1016(MCZ) 位错密度（сm–2） ≤100 硅片形态 磨片 硅片厚度（цm） 150-600 厚度公差（цm） ±5 总厚度偏差（цm） ≤10 弯曲度（цm） ≤10 表面质量 无孔洞、无裂纹、 无氧化花纹及用户其他要求 籽晶有什么作用？ 为什么要缩颈？ 比较CZ、MCZ、FZ三种硅晶锭生长方法的优缺点？ 为什么在空间微重力实验室能生长优质的CZ硅？ 拉单晶中杂质得分凝效应是指什么？ 为什么液相掺杂常采用母合金方法？ 什么是中子嬗变（辐照）掺杂？ * * * 早在1830年，科学家已于实验室展开对半导体的研究。 他们最初的研究对像是一些在加热后电阻值会增加的元素和化合物。这些物质有一共同点，当它们被光线照射时，会容许电流单向通过，可藉此控制电流的方向，称为光电导效应。 在无线电接收器中，负责侦测讯息的整流器，就是一种半导体电子仪器的例子。 到了1874年，电报机、电话和无线电相继发明，使电力在日常生活中所扮演的角色，不再单单是能源的一种，而是开始步入了信息传播的领域，成为传播讯息的一种媒介。而电报机、电话以及无线电等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业──电子业的诞生。? * * 主要阶段概述:第一代电子?产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管，它以小巧、轻便、省电、寿?命长等特点，很快地被各国应用起来，在很大范围内取代了电子管。五十年代末期，世界上出现了第一块集成电路，它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上，使电子产品向更小型化发展。集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。 * * 单晶炉，主要 * * 最常被用来作为施主杂质的元素是磷，主要原因是它无毒而且比较容易得到，进行掺杂也比较容易。最常被用来作为受主杂质的元素是硼，主要原因也和磷一样，但它比磷还有一个更加明显的优点，就是，它在硅中的分凝系数很接近于1 。掺杂时，要将硅和杂质一起熔化，然后拉单晶。而单晶是从上到下逐渐生长的，所有的杂质元素在硅晶体的生长时，在硅的晶体和液体的界面上（固液界面），在固体和液体中的浓度是不同的，其在固体中的浓度与在液体中的浓度之比，就称为分凝系数。分凝系数