材料测试方法扫电镜SEM详解.pptVIP

2.6 小结 SEM 主要利用二次电子，背散射电子 构造 性能 成像衬度 电子光学系统 信号收集处理，图像显示和记录系统 真空系统 电子枪，电磁透镜，扫描线圈，样品室 分辨率 5nm，新型的可达0.9nm 放大倍数 M=Ac /As 可达80万倍左右 二次电子像衬度—分析样品表面形貌、 断口分析； 背散射电子衬度—形貌分析、成分分析. 制样— 制备试样应注意的问题 2.4 SEM的成像衬度 二次电子像衬度 背散射电子像衬度 分 衬度：电子像的明暗程度取决于电子束的强弱，当两个区域中的电子强度不同时将出现图像的明暗差异，这种差异就是衬度。 形貌衬度：由于试样表面形貌差别而形成的衬度。 成分衬度：由于试样表面不同部位原子序数不同而形成的衬度。 2.4.1 二次电子像衬度 2.4 SEM的成像衬度 (1)二次电子成像原理 a.二次电子：在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品 表面的核外电子。 b.二次电子的性质：主要来自样品表层5~10nm深度范围，当大于10nm时，能量较低(小于50eV)，且自由程较短，不能逸出样品表面，最终被样品吸收。 c.二次电子的数量和原子序数没有明显的关系，对样品微区表面的几何形状十分敏感。 2.4 SEM的成像衬度 二次电子产额最少 2 d.二次电子成像原理图 有效深度增加到