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光电子技术 张蓓蓓 2011.04 雪崩光电倍增管 一. 光电倍增管 光电二极管和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。 但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光信号转换成电信号。那么，它是怎样把光信号转换成电信号的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。 雪崩光电倍增管 由于具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管，主要应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。 这种器件具有小型、灵敏、快速等优点，适用于以微弱光信号的探测和接收，在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。与一般的半导体光电二极管相比，雪崩光电二极管具有灵敏度高、速度快等优点，特别当系统带宽比较大时，能使系统的探测性能获得大的改善。 雪崩光电倍增管 光电二极管输出电流 I和反偏压U的关系示于图3.24。 随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。 当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。 雪崩光电倍增管 根据光电效应，当光入射到PN结时， 光子被吸收而产生电子—空穴对 如果电压增加到使电场达到200 kV/cm以上，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。 高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子—空穴对。 新产生的二次电子再次和原子碰撞。 如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增，见图3.25。 雪崩光电倍增管 图3.26示出的N+PΠP+结构被称为拉通型APD。 雪崩光电倍增管 对APD特性新引入的参数是倍增因子和附加噪声指数 1.倍增因子 倍增因子g(一次光生电流产生的平均增益的倍数)定义为APD输出光电流Io和一次光生电流IP的比值。 (3.25) APD的响应度比PIN增加了g倍。 (3.26) U为反向偏压，UB为击穿电压，n为与材料特性和入射光波长有关的常数，R为体电阻。 当U≈UB时，RIo/UB1，上式可简化为 (3.27) 雪崩光电倍增管 2. 过剩噪声因子 APD的均方量子噪声电流为 (3.28a) 引入新的噪声成分， 并表示为附加噪声因子F。 F(1)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数，设F=gx，APD的均方量子噪声电流应为 (3.28b) 式中， x为附加噪声指数。 同理，APD暗电流产生的均方噪声电流应为 (3.29) 附加噪声指数x与器件所用材料和制造工艺有关 Si-APD的x=0.3~0.5，Ge-APD的x=0.8~1.0，InGaAs-APD的x=0.5~0.7。 当式(3.28)和式(3.29)的g=1时，得到的结果和PIN相同。 感谢您的关注