大功率器件设计第一章9.pptVIP

大功率器件课程设计 第一章 绪论 第一节 功率半导体器件的发展概述 1952年，第一个功率半导体整流器，R.N.Hall研制，正向电压35A，反向阻断电压达200V。 1956年，可控硅整流器（SCR，晶闸管），J.L.Moll发明，GE推出产品，工作电流25A，断电压为300V。 功率双极型晶体管的研制，工作频率提高。 70年代，功率MOS的研制，消除了少子存贮效应的影响，工作频率进一步提高。 1982年，绝缘栅双极晶体管（IGBT）器件 近年来，碳化硅（SiC）功率器件得到了迅速发展，用SiC代替Si后，漂移区的开态电阻将下降200倍，利用SiC制备的单极功率整流管和功率开关的击穿电压可达5kV（理论上）。 功率MOS的优点 工作频率高 功率MOS是电压控制器件，驱动电流非常小，驱动电路简单 具有负的电流温度系数 第二节 功率MOS器件的发展过程和发展方向 功率MOS器件的发展过程基本上是在保留和发挥MOS器件本身优点的基础上，努力提高功率： 增大器件工作电压 增大器件工作电流 普通MOS管 从增大器件工作电压考虑 横向双扩散MOS（LDMOS） 与普通MOS结构不同点： 有较长的低浓度的N－漂移区 沟道区由双扩散工艺制作 垂直V型槽的结构（VVMOS ） 垂直结构器件的发展得益于大规模集成技术，各向同性、各向异性和