半导体物理器件 第二章 PN结.ppt

引言 引言 引言 引言 引言 引言 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.1热平衡PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.2加偏压的PN结 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.3理想PN结的直流电流－电压特性 2.4空间电荷区的复合电流和产生电流 2.4空间电荷区的复合电流和产生电流 2.4空间电荷区的复合电流和产生电流 2.4空间电荷区的复合电流和产生电流 2.4空间电荷区的复合电流和产生电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.5隧道电流 2.6I-V特性的温度依赖关系 2.6I-V特性的温度依赖关系 2.6I-V特性的温度依赖关系 2.6I-V特性的温度依赖关系 2.6I-V特性的温度依赖关系 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.7耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.8小信号交流分析 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.9电荷贮存和反向瞬变 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 2.10 PN结击穿 3.求杂质分布的程序 在不同反偏压下测量电容： 用（2-81）式求出以上不同反偏压下的空间电荷区宽度： 画出 相对 的曲线。 从此 曲线中取 并将其结果代入（2-82）式计算出 画出完整的杂质分布 注意：倘若出现高密度的陷阱中心和界面态，如硅中掺金情形，前面的分析必须加以修正，以适应这些荷电的状态。 3.求杂质分布的程序 由劳伦斯和沃纳用计算机算出的结果 3.求杂质分布的程序 由劳伦斯和沃纳用计算机算出的结果 4.变容二极管 根据 （2-76） 可见反向偏置的PN结可以作为电容使用在LC调谐电路中。专门为此目的制造的二极管称为变容二极管。 结型二极管的电容?电压方程可写成 ： 对于单边突变结， ，如式（2-76）中所表示。 （2-83） 4.变容二极管 包括一个P-N结电容的LC电路，其谐振频率可表示为 （2-84） 在电路应用中，总是希望在谐振频率和控制电压之间有线性关系，也就是说，要求 。 5.学习要求 掌握概念：耗尽层电容、求杂质分布、变容二极管 掌握耗尽层电容公式（2-76）、（2-81） 掌握C－V关系： 公式（2-77）及其应用 掌握求杂质分布的概念及求解程序 掌握使用图表2-19求电容的方法 了解变容二极管的应用及其设计原则 PN结在小信号工作时特点：信号电流与信号电压之间满足线性关系， 从物理上说，就是器件内部的载流子分布 的变化跟得上信号的变化。 器件的频率特性：器件处理连续波时所表现出来的性能。 （大信号、小信号） 器件的开关特性（瞬变）：器件处理数字信号和脉冲信号时所表现 出来的性能。（大信号） PN结在大信号工作时特点：I－V特性和C－V特性等都是非线