§2_3单极型晶体三极管场效应管.pdfVIP

《模拟电子技术》网上教学 主讲：赵玉铃 上次课内容 1、共射极放大电路的基本构成。（了解） 2、共射极放大电路的静动态分析 （图解法、近似计算法和微变等效电路法）。（掌握） 3、放大电路静态工作点的稳定。（熟悉） 4、放大电路三种基本组态的比较。 本次课内容（2 学时） §2-3 单极型晶体三极管（场效应管） 双极型晶体三极管虽然放大能力强，使用方便，但由于多子和少子共同参与导电，而 少子受温度影响较大，故其热稳定性较差。场效应晶体管 FET 利用输入电压控制输出电流， 是电压控制器件。FET 还由于只有多子参与导电，故又称为单极型晶体三极管,它的稳定性 高,抗辐射能力强，噪声小，便于大规模集成，应用日益广泛。 2-3-1 结型场效应管 （Junction Field Effect Transistor—JFET） 一、结构及符号 参与导电的载流子 不同，分为N沟道和P沟 道两种，结构和符号见 图 1。图 （a）为N沟通结 型场效应管（N-JFET）， 是在一块N型半导体的 图 1 结型场效应管的结构和符号 两侧扩散两个高浓度的 + + 表示）而成。两个P 区引出一个电极，叫栅极g；在N型半导体的两端各引一个电 P区 （用P + 极，分别叫做漏极d和源极s。N型半导体和两个P 区形成两个PN结，中间的N区叫导电沟道。 N-JFET和P-JFET符号的区别仅在栅极上箭头的指向不同。规 定箭头由P区指向N区。 二、JFET 的工作原理 N-JFET 在工作时，外加电源须使 JFET 的两个 PN 结反 偏（ iG ≈0 ），并使漏极电流iD 的方向由漏极指向源极，如 图 2。当V 改变时，两个 PN 结的阻挡层厚度改变，即导 GG 电沟道电阻改变，则iD 变，所以 FET 是电压控制型器件。 1、vGS 对导电沟道的影响（vDS 0 ） 图2 N-JFET 的工作原理 参考教材：《模拟电子技术及应用》（第二版） 编者：赵玉铃 徐柳娟 浙江水利水电专科学校 1 《模拟电子技术》网上教学 主讲：赵玉铃 漏极 d 和源极 s 短路，栅极 g 和 s 间加反偏电压。由于 P 区掺杂浓度高，N 区低，PN 结阻挡层在 N 区厚。反偏电压vGS 上升，阻挡层变厚，沟道变窄，沟道电阻增大。当vGS 上 升到V 时，两个 PN 结的阻挡层合拢，沟道被夹断，V 叫夹断电压。再增加反偏电压，沟 P P 道不再有明显变化，但反偏电压过大，会使 PN 结反向击穿。 2、 vDS 对 iD 的影响（vGS =常量） 在 g 和 s 间加一固定电压V ，d 和 s 间加电压vDS 较小时，情况如图 3（a），此时沟 gs 道电阻较小，iD 较大。由于靠近 d 侧的沟道与 g 极间 PN 结的反偏电压最高；而靠近 s 侧 的沟道与 g 极间 PN 结的反偏电压最低。所以靠近 d 侧 PN 结的阻挡层较厚（沟道较窄）， 靠近 s 侧 PN 结的阻挡层较薄 （沟道较宽），使沟道呈楔形。vDS 增加时，PN 结阻挡层变厚， 楔形沟道变小。由于沟道的体电阻较小，只要沟道存在，电流iD 几乎随vDS 的增加而线性 上升。继续增加vDS 的值，使vDS 增加到v V −v V 时，靠近 d 侧的沟道刚被夹断， GD GS DS p 即阻挡层在 A 点合拢，如图 3（b），出现沟道的预夹断。