低频功率放大路的设计外文翻译.docVIP

低频功率放大器设计 译文： 原文出处： Analog Integr Circ Sig Process (2010) 62:237–244 DOI 10.1007/s10470-009-9350-6 低电压低功耗CMOS电流差分缓冲放大器Cem Cakir Shahram Minaei Oguzhan Cicekoglu 收到 2008.8.10 修订： 接受发表：200921 斯普林科学出版社+商媒体2009 摘 要 本文主要提出采用CMOS技术实现的电流差分缓冲放大器（CDBA）（CDBA）CMOS实现。CDBA的技术。±0.6 V的范围内工作。与已报道目前功率少。CDBA具有良好的电压和电流增益精度采用UMC 0.18um 的CMOS 程序（工艺）进行模拟。CDBAHSPICE验证。滤波器电路的性能和实用性。HSPICE模拟与预期的的。HSPICE模拟预期的的CDBA）有源滤波器cmos电路）电压模式电路cmos电路）[1]，电流模式电路（电流型cmos电路）COA），运算转阻放大器（OTRA）和电流差分缓冲放大器（CDBA）已经。[2]显示了这项工作的一个初步版本。 电流差分缓冲放大器是zoguz[3]提出。它可以在电流模式和电压模式操作，灵活性。此外，它许多寄生电容适于高频率操作。CDBA可以用不同方式设计。一种可能实现是基于电流反馈运算放大器的使用（CFOA）[ 3 ]。也有其他适用于双极技术[ 4 ]。CDBA的CMOS实现已经在文献中[ 5，6 ]。，基于CMOS终端电阻CDBA，电阻是相当高的几百欧姆其电压和电流转移比小于1。此外，现有的大多数CDBA高的供电电压操作的功率消耗。的主要目的是提出一种的缺点CDBA。CDBA简单电路。（FVF）技术CDBA及其原理和后布局模拟结果。最后，在第四部分中介绍了二阶全通/陷波滤波算法组态和模拟结果CDBA等效电路如图1所示。CDBA基本上由两个基本构建块电流减法器和电压跟随器。CDBA电流和电压特性可由以下方程描述；P和是理想的零阻抗电流模式输入。z电流输入零阻抗输出电压的w电压z的电压相等。 图1 CDBA的框图等效电路CDBA）1 MOS晶体管尺寸4 电流减法器电路CDBA电路2显示了差分电路（M1–M8）和电压缓冲器（M9–M14）低电压CDBA电路完整原理图0.6 V电压UMC 0.18 CMOS技术。表1晶体管的纵横比IB1和IB2分别为56和84uA）输入端处低的输入电阻[ 7，8 ]如图3所示。节点x输入可以表示为；b是电流源的输出电阻，是输出电阻晶体管跨导。x中的方程2电阻化由晶体管M1～M84所示z的电流p和n的电流差输出电流。z的电流可以表示如下：）（M1–M4）IB1促使通过大约56uA的电流。5显示p和n的阻抗Ω频率范围内。由于终端z定义为电流输出，它应该具有无限阻抗。z的电阻为 （5） 终端z的阻抗频率变化图6，产生157kΩ，甚至达到1兆赫。7显示了CDBA直流传输特性CDBA整个动态范围的高线性度（IB1 = 56A）z上的偏置电流0.05um。基于微分翻转电压跟随器（）[ 9 ]CDBA输出级如图8所示晶体管M1、M3的尺寸相同，V1＝V3，M3的大电流保持大致恒定。晶体管M3中产生V1- V3遵循MOS平方律的电流变化。的另一个重要特征是低的电源电压操作。2所示，其显示了低输出阻抗和适度输出摆幅事实上，该电路用互补M10、M12、M9和带电源流IB1和IB2AB类电压缓冲器。w阻抗的频率特性曲线如图9所示。6 终端z阻抗频率变化7电流转移特性8差动翻转电压输出9 终端w阻抗频率变化10 电压传输特性CDBA如图10从图10的结果可看出电压传输误差趋于大于 V值±100 V。 图11说明了CDBA传输特性。-3dB频率25兆赫25兆赫474兆赫12说明了CDBA布局。2总结了原理图和布局后的仿真结果。 为了说明参数变化对电路的影响， Monte Carlo进行了模拟。13所示。电流和电压传输比的变化分别是1%和0.5%。11 CDBA交流的传递特性电流传输比频率电压传输比频率响应12 电流差分缓冲放大器的CDBA的性能14 电压模式二阶全通／陷波滤波器配置图13仿真结果Monte Carlo的分析A为电流传输比电压传输比CDBA的性能图14新型二阶滤波器它实现全通或取决于其无源元件匹配条件反应CDBA），三个电阻和两个电容器14可以得出一般的电压传递函数Vo和V之间可以写为和滤波器Q品质因数UMC 0.18 CMOS工艺参数模拟。15显示理想下模拟增益和二阶全通滤波器的相位响应。KΩ, R2 = 6 KΩ, R3= 6