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第 1 章 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 1.2 PN结与晶体二极管 图解法 迭代法 折线化近似法 1.3 晶体三极管 1.4 场效应晶体管 uO ( t ) 取决于VD 是否导通。 例1-3: 限幅电路中VD 理想，求uO(t)并画出波形。 电路 2. 晶体二极管电路应用举例 1.2.3 晶体二极管电路 限幅电路 解： 限幅电路 1.2.3 晶体二极管电路 传输特性 输出波形 ；VD截止? ui 5V ；VD导通? ui ?5V RL上所得电压值即为VZ管所承受的反向电压值，分别为：8V、7.2V、4V和2.4V。 例1-4：图示稳压电路中：uI=12V， UZ=6V， R=4K?。当RL 分别为8K? 、6K? 、2K?和1K?时，求对应输出电压uO 。 2. 晶体二极管电路应用举例 1.2.3 晶体二极管电路 稳压电路 解： 故：uO分别为： 6V、6V、4V和2.4V。 输出电压uO(t) 取决于VZ 的工作状态，即：击穿与否。 1.3.1 晶体三极管的结构与符号 1.3.2 晶体管的运用状态 1.3.3 晶体管的放大原理 1.3.4 晶体三极管特性曲线 1.3.5 晶体管的主要参数 三极管存在：两结三极三区 1.3.1 晶体三极管的结构与符号 发射区(E区)：发送载流子 基区(B区)：传输载流子 集电区(C区)：收集载流子 三极管四种状态 集电结 运用状态 发射结 正向运用 反向运用 正向运用 饱和状态 放大状态 反向运用 反向放大状态 截止状态 1.3.2 晶体三极管的工作状态 1.3.3 晶体三极管的放大原理 1. 载流子传输过程（以NPN管为例） 发射区向基区注入电子( IEn ) ： 发射极电流IE ? IEn 注入电子在基区边扩散边复合( IBn ) ： 是基极电流IB 的一部分 集电区收集扩散来的电子 ( Icn ) ： Icn构成集电极电流 IC 的主要成份 集电结两边少子定向漂移( ICBO ) ： ICBO对放大无贡献应设法减小 1.3.3 晶体三极管的放大原理 1. 载流子传输过程（以NPN管为例） 晶体三极管又称为双极型晶体管 三极管放大应满足两方面条件： 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 内部条件：薄基区 发射区重掺杂基区轻掺杂 1.3.3 晶体三极管的放大原理 1. 载流子传输过程（以NPN管为例） 电流分配关系图 1.3.3 晶体三极管的放大原理 2. 电流分配关系 定义 时有： 1.3.3 晶体三极管的放大原理 2. 电流分配关系 电流分配关系 1.3.3 晶体三极管的放大原理 2. 电流分配关系 指由发射区注入到基区的载流子 基区非平衡载流子浓度分布图 分析表明 ： 1.3.3 晶体三极管的放大原理 3. 电基区非平衡载流子的浓度分布 指uCE为参变量，iB随uBE变化的关系曲线 特点： uCE =0V时，特性曲线类似二极管V-A特性 uCE 0V时，特性曲线右移直至uCE ?3V时曲线基本重合 1.3.4 晶体三极管特性曲线 1. 共射接法输入特性曲线 1.3.4 晶体三极管特性曲线 2. 共射接法输出特性曲线 指iB为参变量，iC随uCE变化的关系曲线 曲线分为四区：截止区 放大区 饱和区 击穿区 1.3.4 晶体三极管特性曲线 2. 共射接法输出特性曲线 截止区： 对应截止状态:E结C结反偏 特点：iE =0 iC =ICBO = –iB 曲线分为四区：截止区 放大区 饱和区 击穿区 1.3.4 晶体三极管特性曲线 2. 共射接法输出特性曲线 放大区： 对应放大状态: E结正偏C结反偏 特点： 放大效应 ----? 定义 1.3.4 晶体三极管特性曲线 2. 共射接法输出特性曲线 特点： 基调(厄立)效应----UA 表现:曲线略微上斜 特点： 穿透电流----ICEO 计算:ICEO=(1+ )ICBO 曲线分为