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DRAMeXchangeNANDFlash品牌厂商3Q11营收.PDF
DRAMeXchange: NAND Flash品牌厂商3Q11营收排行分析
2011-11-01
集邦科技(TrendForce)旗下的研究机构DRAMeXchange表示3Q11 NAND Flash市场在欧洲债券风波及美国财经议
题争议的影响下,传统的3Q旺季备货需求递延到9月初才开始回温,7-8月记忆卡及UFD通路市场的需求依然疲弱,
且除了某些系统产品客户有稳定的OEM外,多数下游客户在7-8月多仍在去化手头的过剩库存,因此NAND Flash价
格到9月份方因部份系统客户准备其4Q新产品上市的备货效应才出现止跌回稳的状况,因此3Q11整体品牌NAND
Flash供货商的ASP下跌约14% QoQ,但因少数平板计算机及智能型手机客户的OEM订单,相对记忆卡及UFD通路
市场的疲弱需求仍来得稳健,使得3Q11整体NAND Flash品牌供货商的位元出货量得以成长约28%
QoQ,故整体NAND Flash品牌供货商的3Q11营收增加约9.6% QoQ成为53亿4千万7百万美元。
依3Q11 NAND Flash品牌厂商季营收排行来看,三星(Samsung)营收为20亿3百万美元,市占率为37.5%,仍维持
名第五,营收为4亿1千5百万美元,市占率为7.8%。
数据源:集邦科技,2011年10月
3Q11品牌NAND Flash供货商营运分析
三星电子(Samsung)
3Q11虽然记忆卡及UFD通路市场需求较疲弱,但三星因受惠于一些智能型手机及平板计算机等系统产品客户OEM
订单的帮助下,因此,3Q11季位元出货量得以成长约20% QoQ,ASP则约下跌约15% QoQ,故3Q11的季营收小
幅增加为20亿3百万美元,3Q11市占率为37.5%。三星预期4Q11来自部份智能型手机及平板计算机系统客户的OE
M订单仍将稳健,故其4Q11的位元出货量将可望成长约10% QoQ以上,4Q11三星将会以持续提高27nm及21nm制
程产品的产出比重来强化其成本竞争力,并开发新的eMMC及SSD等来提高其来自系统产品客户的销售比重。
东芝电子(Toshiba)
3Q11东芝受惠于某些智能型手机及平板计算机系统客户的OEM订单,以及记忆卡策略伙伴的稳定订单帮助下,使
得位元出货量呈现大幅的成长,虽然仍受价格下跌及日圆升值的影响,但3Q11季营收增加约24.7% QoQ成为16亿9
千2百万美元,3Q11市占率为31.6%。4Q11东芝也将持续地提升24nm及19nm新制程技术的产出比重来强化其成本
竞争力,同时也将会开发嵌入式产品及SSD来持续提高系统产品客户的销售比重,以因应新兴智能移动装置的成长
需求。
海力士半导体(Hynix)
受到欧债风波及全球经济的不确定因素削弱NAND Flash的终端需求,3Q11海力士主要以提高行动装置系统产品客
户的销售比重,来使3Q11位元出货量增加约16%QoQ,但ASP则下跌14%QoQ,故3Q11季营收呈现持平为6亿3千
3百万美元,3Q11的市占率为11.8%。4Q11海力士受惠于某些智能型手机及平板计算机等系统客户的稳定OEM订
单,故预期其4Q11的位元出货量将成长约15% QoQ,4Q11海力士将会持续提高26nm新制程技术的产出比重来强
化其成本竞争力,同时也会开发Ultrabook用嵌入式产品及SSD新产品以持续提高系统产品客户的销售比重。
美光科技 (Micron)
美光上季因SSD的产品销售比例提高及某些系统产品客户OEM订单的挹注下,季位元出货量增加约47%
QoQ,但淡季效应也使ASP下跌约26% QoQ使得上季营收增加约9.2% QoQ,成为6亿3百万美元,上季的市占率为
11.3%。由于4Q11制程技术将由25nm持续转进到新的20nm,故美光预估其下一季的位元产出量约成长5% QoQ以
上,随着年终旺季库存需求回温,美光预期下一季的ASP约为持平。美光也将进一步提升来自智能型手机,平板计算
机及Ultrabook嵌入式产品及SSD的销售比重。
英特尔(Intel)
英特尔3Q11在SSD的销售比重明显的提高下,呈现ASP小幅上涨,季位元出货量则约为持平的状况,故其3Q11季
营收成长约10.7% QoQ,成为4亿1千5百万美元,3Q11市占率成为7.8%。4Q11英特尔也将会开始生产20nm新制
程技术的产品及持续提高其SSD产品客户的销售比重。
关于集邦科技
集邦科技(TrendForce) 是一家提供市场深入分析和产业咨询服务的专业研究机构,同时也是产业信息媒介平台,注册会
员超过435,000名,聚焦新兴、科技产业圈人脉。TrendForce每年举办五场以上的国际研讨会
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