光电子技术与新型材料47-51节.pptVIP

辐射度量和光亮度的对照表 * 辐射度量 符号 单位 光度量 符号 单位 辐（射）能 Qe J 光量 Qv lm·s 辐（射）通量或辐（射）功率 Φe W 光通量 Φv lm 辐（射）照度 Ee W/m2 （光）照度 Ev Lx=lm/m2 辐（射）出度 Me W/m2 （光）出射度 Mv lm/m2 辐（射）强度 Ie W/sr2 发光强度 Iv cd=lm/sr 辐（射）亮度 Le W/m2·sr （光）亮度光谱光视效率 Lv Cd/m2 6.7自由电子激光器 * 自由电子激光器是一种利用自由电子的受激辐射，把相对论电子束的能力转换成相干辐射的激光器件。故自由电子激光器的工作物质就是自由电子。 原理图如下 * 原理图如下，它由电子束注入器(电子加速器)、扭摆磁铁和光学谐振腔(主要是两个反射镜)三部分组成.扭摆磁铁由很多组磁铁构成，相邻两组磁铁的磁场方向是上下交替变化的，磁场变化的空间周期用λw表示.由电子加速器注入到扭摆磁场区的电子向z方向前进并在洛伦兹力的作用下，在x一z平面内左右往复地摆动，当电子在磁场区域内作圆弧形运动有向心加速度就会沿轨道的切线方向辐射出电磁波. λw 原理图 * 原理简述如下：由加速器产生的高能电子经偏转磁铁注入到极性交替变换的扭摆磁铁中。电子因做扭摆运动而产生电磁辐射（光脉冲），光脉冲经下游及上游两反射镜反射而与以后的电子束团反复发生作用。结果是电子沿运动方向群聚成尺寸小于光波波长的微小的束团。这些微束团将它们的动能转换为光场的能量，使光场振幅增大。这个过程重复多次，直到光强达到饱和。 * 电子束与发射电磁波的位相关系 如图1所示，一组扭摆磁铁可以沿z轴方向产生周期性变化的磁场．磁场的方向沿Y轴。由加速器提供的高速电子束经偏转磁铁D导入摆动磁场。由于磁场的作用．电子的轨迹将发生偏转而沿着正弦曲线运动，其运动周期与摆动磁场的相同。这些电子在XOZ面内摇摆前进．沿x方向有一加速度．因而将在前进的方向上自发地发射电磁波。辐射的方向在以电子运动方向为中心的一个角度范围内。 光纤激光器 * 光纤激光器是以掺入某些激活离子的光纤为工作物质，或者利用光纤自身的非线性光学效应制成的激光器。光纤激光器可分为晶体激光器、稀土类掺杂光纤激光器、塑料光纤激光器和非线性光学效应光纤激光器。 液体激光器 液体激光器也称染料激光器，因为这类激光器的激活物质是某些有机染料溶解在乙醇、甲醇或水等液体中形成的溶液。为了激发它们发射出激光，一般采用高速闪光灯作激光源，或者由其他激光器发出很短的光脉冲。液体激光器发出的激光对于光谱分析、激光化学和其他科学研究，具有重要的意义。 物质波（原子）激光器 * X射线激光器 X射线激光器是一种高亮度、短波长相干光源并可以短脉冲方式运行的激光器，它在需要高时空分辨的微观快过程的研究领域有着广阔的应用前景。 原子激光器是第一种物质波激射器，是继微博激射器、光激射器之后的第三类激射器，是由激光脉冲轰击原子而产生基光的器件。 “ ” “ ” * 4.7半导体光调制器 Si基光调制器是通过Si晶体的电光效应实现的。对于Si材料来说，由于晶体呈现对称性，在没有应变的纯净Si中会产生非线性电光效应。在波长为1-2μm范围内，折射率的变化与外加电场的关系如下 4.65 式中,e为电子电量，n为折射率，M为等效质量，x为平均振荡位移。 Si材料折射率变化与外加电场的关系 * 通常在半导体材料中，采用热光效应和载流子注入两种方式来改变折射率和光吸收系数，并有以下关系 4.66 4.67 Si的热光效应认为，温度变化引起折射率变化 式中me和mh为导带中电子和空穴的有效质量；△Ne和△Nh为电子和空穴浓度的变化；μe和μh为电子和空穴的迁移率。 基于热光效应的Si基光调制器 目前利用热光效应可以实现Si基光调制器，是通过在Mach-Zehnder干涉仪的一个臂上淀积NiCr薄膜加热器实现光波导折射率的变化。下图为改进型热光调制器 * 基于载流子吸收调制器 如下图，它是一个单模脊型波导结构，由p+_n_n+结组成，可以实现相位调制。 这个零件对偏振不敏感。 * 化合物半导体光调制器 垂直腔反射式光调制器也称非对称F-P腔光调制器。器件结构是在n-GaAs衬底上用分子束外延方法逐次生长出以下各层：500nm厚GaAs缓冲层，20个周期DBR层。 此外利用化合物半导体材料可以制成电子耗尽控制吸收的光调制器，这种调制器的工作机理是建立在载流子耗尽引起的光吸收的变化基础上。 * 机理原因分析 当外电场变化时，吸收区的耗尽区的耗尽宽度随之变化，引起光吸收的变化。 而引起光吸收变化的主要原因在于：导带或价带内电子或空穴数减少使得带与带之间或带与杂质能级之间的跃迁概率增加；离化杂质屏蔽效应的减弱导致杂