单光子探测.PPT

几种探测方法 光电倍增管 单光子雪崩光电二极管 基于频率上转换技术的单光子探测技术 超导单光子探测器 基于量子点的单光子探测技术 可见光子计数器  硅单光子雪崩二极管 VS InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管 计数率高 暗计数率低 耗尽层较厚 时间抖动大 需要较高偏置电压 禁带宽度大，光谱响应上限为1100nm InGaAs作吸收层，InP作倍增层 响应上限900nm-1700nm 为了降低暗计数率，工作于240K以下 噪声大 需要大块的非线性晶体 波导输入输出损耗大 对偏振敏感 近红外、中红外波段最实用的单光子探测技术 临界温度、跃迁宽度 临界电流 超导临界温度跃迁单电子探测器 NbN超导纳米线单光子探测器 利用半导体材料中的量子点来捕获单光子被吸收后产生的载流子 在场效应管沟道中制作一层量子点，单光子被吸收后产生的载流子被量子点捕获后，使得沟道的电导率发生急剧改变，检测电导率的变化就可以实现单光子探测。 在共振隧道二极管中生成量子点，当单光子被吸收后产生的空穴被量子点捕获后，导致二极管中隧穿电流发生显著变化，检测隧穿电流的变化就可以实现单光子探测。 测量参数 计数率、暗计数、单光子量子效率（探测效率）、探测效率、时间分辨率、光子数分辨能力、灵敏度、时间抖动、后脉冲效应、噪声、死时间、增益、 * 单光子探测技术 应物81 陈东旭单光子探测是近年来发展起来的一项新兴的探测技术, 和其他已经发展较为成熟的光电探测技术相比, 单光子探测的光可以更为微弱, 可达光子量级(10 J) 水平的能量, 在量子通讯、天文探测、光学显微、激光测距及成像等方面开始有了很重要的应用 。 微通道板光电倍增管 通道光电倍增管 混合结构光电探测器 超导钨膜 *