材料近代研究方法--俄歇电子能谱.pptx

第三章 俄歇电子能谱AES一 .概况俄歇效应 (1925年， 法国人 P. Auger) 如原子内层电子(如K层)电离出去，内层出现空位。电离原子去激发有两种形式：俄歇电子的产生俄歇电子的跃迁过程能级图俄歇电子的跃迁过程俄歇过程的标记俄歇过程至少有两个能级和三个电子参与，所以H、He不能产生俄歇电子孤立锂原子(Z≥3)因最外层只有一个电子，也不能产生俄歇电子。但固体中因价电子是共用的，所以金属锂可以发生KVV型的俄歇跃迁KLL表示 初态空位在K层，L层电子跃迁至K层，能量将另一个L层电子激发出去KLMKMM电子能级 电子数X射线能级两种能级表示法对照图俄歇电子能谱分析特点：不能分析H，He元素；定量分析精度不够高；电子束的轰击损伤和因不导电所致的电荷积累，限制了其在非金属材料中的应用；对多数元素的探测灵敏度一般为原子摩尔数0.1% ~ 1%；对样品表面要求较高1.材料表面成分分析(0.4-2nm);2.可分析Z=3及以上的元素;3.可做微区分析(~1微米);4.结合离子溅射可做深度分析;5.绝对灵敏度高,相对灵敏度~0.1%;6.定量分析误差~20%-30%;7.有一定的化学状态分析功能;8.非破坏,非原位.二. 分析原理1. 俄歇电子能量俄歇电子能量只与其激发,跃迁和发射三个能级的能量有关，属元素自身性质，因此可以用来表征化学组成.俄歇电子的能量可以从跃迁过程涉及的原子轨道能级的结合能来计算。由于电子跃迁后能级上电荷量变化，引起能级有微小移动，俄歇电子动能常用以下经验公式修正：2.俄歇跃迁几率从图上可见，当元素的原子序数小于19时（即轻元素）, 俄歇跃迁几率（PA）在90%以上。直到原子序数增加到33时，荧光几率才与俄歇几率相等. 荧光产额：俄歇跃迁几率及荧光几率与原子序数的关系 荧光产额和俄歇电子产额满足原子序数与俄歇电子产额间的关系通常，对于Z≤14的元素，采用KLL电子来鉴定； Z高于14的时候，LMM电子比较合适; Z≥42的元素，以MNN和MNO电子为佳。各元素以及各激发线的俄歇电子动能图每个元素均具有多条激发线每个激发线的能量是固定的，仅与元素及激发线有关；原子序数3－10的原子产生ＫＬＬ俄歇电子；对于原子序数大于14的原子还可以产生KLM，LMM，MNN俄歇过程俄歇电子的有效激发体积：取决于发射深度和入射电子束的束斑直径。俄歇电子的发射深度大约在0.4～2 nm的深度（相当于表面几个原子层）厚度。3.俄歇电子的平均自由程λ能量在2000ev以下的电子在固体中的平均自由程一般为4-20 A平均自由程在垂直于表面方向上的分量即逸出深度.分析深度—“普适”曲线4.俄歇电子强度设入射线横截面A，每个入射电子在每个原子中激发出Y个二次电子，固体原子密度为N，只有表面t范围内的俄歇电子能够逸出。则对俄歇电子有贡献的原子数为入射电流为I0时，电流其中 称一次电流的电离截面; 假设只有X射线发射和俄歇电子发射两种去激发方式，X射线发射的几率为ω，则俄歇电子发射的横截面为二次电子发射可能也激发俄歇电子，故引入背散射因子γ1;实际发射的俄歇电流只有空间立体角4π的一个分数，设探测器立体角Ω，则此分数为Ω/ 4π;从而俄歇电流为或三.俄歇电子能谱仪的结构俄歇电子能谱仪结构原理图离子枪离子束样品电子枪电磁透镜电子束信号输出显示/记录控制电路能量分析器分析电路信号检测器超高真空系统俄歇电子能谱仪的结构1.电子枪用电子束作为激发源的优点是：（1）电子束的强度大于X射线源多个数量级，高亮度、高稳定性；（2）电子束可以进行聚焦，具有很高的空间分辨率；（3）电子束可以扫描，具有很强的图像分析功能；（4）电子束电离效率高。缺点：俄歇电子信号淹没在大量电子信号中，检测困难。2. 离子枪在俄歇电子能谱分析中，为了清洁被污染的固体表面和进行离子束剥离深度分析，常常利用离子束对样品表面进行溅射剥离。利用离子束可定量控制地剥离一定厚度的表面层，然后再用俄歇电子谱分析表面成分，这样就可以获得元素成分沿深度方向的分布图。作为深度分析用的离子枪，一般使用0.5～5 KeV的Ar离子源，离子束的束斑直径在1～10mm范围内，并可扫描。依据不同的溅射条件，溅射速率可从0.1 ～50 nm/min变化。离子枪结构示意图引入气体（如Ar气），气体在强电场作用下电离成为离子，离子在电场和磁场作用下高密度聚集，利用加速电场使离子加速，并射出。3.能量分析器(1)圆筒反射镜能量分析器（CMA）(2)减速场能量分析器（RFA）(3)半球形能量分析器圆筒反射镜能量分析器（CMA）令内外两极板间的电压扫描变化，从而能够通过能量分析器两狭缝到达检测器的电子能量亦从小到大连续变化，当极板电压对应于样品上激发出来的某种特定能量的电子时，该种电子可通过两个狭缝进入检测器，构成能