第三讲存储系统3.ppt

3.3 DRAM存储器;3.3 DRAM存储器;3.3 DRAM存储器;3.3 DRAM存储器;;3.3 DRAM存储器;3.3 DRAM存储器;3.4 只读存储器和闪速存储器;1.掩膜式ROM 特点: 由厂家制成，用户不能 修改。可靠性高。 存储元：二极管 双极型晶体管 MOS管 工作原理： 管子的基极连选择线，该管 导通，反向后输出为“1”，反之 输出为“0”。 掩摸式只读存储器：数据在芯片制造过程中就确定　优　点:可靠性和集成度高，价格便宜 缺　点:不能重写;2.PROM 特点:用户可自行改变产品中 某些存储元，用户可编程一次。 熔丝型PROM 多发射极管 基极连选择线 编程写入时，熔丝烧断 输出为“1”，不断为“0”。 优　点:可以根据用户需要编程 缺　点:只能一次性改写; 3. EPROM (多次性编程 ) ;3.EPROM--可擦除可编程只读存储器（Erasible Programmable ROM) 可以用紫外光照射或电擦除原来的数据，然后再重新写入新的数据。 优点：可以多次改写ROM中的内容。 基本存储元： 制造时，硅栅上无电荷，该管无 导电沟道，D，S间不导电，存“1”。 写“0”时，D，S间加25V高压，另加 编程脉冲，选中的单元D，S被瞬间 击穿，电子注入硅栅。高压去掉后， 因硅栅有绝缘层包围，电荷无法泄露 硅栅变负，形成导电沟道，存储元导 通，输出为“0”。 衰减期很长，降到80%需100年。 用紫外光照射后，硅栅上的电荷形成光电流泄露，使电路恢复起始状态，变为“1”。;3.4 只读存储器和闪速存储器;3.4 只读存储器和闪速存储器;3.4 只读存储器和闪速存储器;3.4 只读存储器和闪速存储器;3.4 只读存储器和闪速存储器;3.4 只读存储器和闪速存储器;3.4 只读存储器和闪速存储器;3.4 只读存储器和闪速存储器;3.4 只读存储器和闪速存储器;3.5 并行存储器;3.5 并行存储器;3.5 并行存储器;3.5 并行存储器;3.5 并行存储器;3.5 并行存储器;3.5.1双端口存储器;3.5 并行存储器;顺序方式： 在顺序方式中某个模块进行存取时，其他模块可以照常工作。 另外通过增添模块来扩充存储器也比较方便。但顺序方式的缺点是各模块一个接一个串行工作，因此存储器的带宽受到了限制 。;模块 字 ;3.5 并行存储器;3.5 并行存储器; 存储容量是32个字，分成4个模块，每个模块8个字，当存储器寻址时，用地址寄存器的低2位选择4个模块中的一个，而用高3位选择模块中的8个字。;高速存储器——多模块交叉存储器;3.5 并行存储器;3.5 并行存储器; 每个模块各自以等同的方式与CPU传送信息。CPU同时访问四个模块，由存储器控制部件控制它们分时使用数据总线进行信息传递。是一种并行存储器结构。 模块字长等于数据总线宽度，模块存取一个字的存储周期为T，总线传送周期为τ，存储器的交叉模块数为m，为了实现流水线方式存取，应当满足T=mτ（m=T/τ称为交叉存取度）交叉存储器要求其模块数必须大于或等于m，以保证启动某模块后经mτ时间再次启动该模块时，它的上次存取操作已经完成。;这样，连续读取m个字所需的时间为t1=T+(m-1)τ而顺序方式存储器连续读取m个字所需时间为t2=mT。交叉存储器的带宽确实大大提高了。 m=4的流水线方式存取示意图如上图;例5 设存储器容量为32字，字长64位，模块数m=4，分别用顺序方式和交叉方式进行组织。存储周期T=200ns，数据总线宽度为64位，总线传送周期=50ns。若连续读出4个字，问顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少?;相联存储器：是按内容访问存储器。 相联存储器的基本原理是把存储单元所存内容的某一部分作为检索项（即关键字项），去检索存储器，并将存储器中该检索项符合的存储单元内容进行读出或写入。 主要用途：在虚拟存储器中存放段表、页表和快表，也可以作Cache的行地址;相联存储器;高速存储器——相联存储器;3.6 Cache存储器;3.6 Cache存储器;3.6 Cache存储器;3.6 Cache存储器;3.6 Cache存储器;3.6 Cache存储器;例6CPU执行一段程序时，cache完成存取的次数为1900次，主存完成存取的次数为100次，已知cache存