电工专业与电子学科学课件第十4章2极管和晶体管.ppt

电工与电子学 第14章 二极管和晶体管 14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件 本章作业 ⒈ 输入特性曲线 14.5 晶体管 IB/?A UBE/V 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE≥1V O 正常工作下的发射结电压：NPN型硅管：UBE = 0.6V~0.7V PNP型锗管：UBE=-0.2V~-0.3V 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 对硅管而言，当UCE≥1V时集电结已反向偏置，而基区又很薄，可把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。 此后，UCE对IB就不再有明显的影响。 饱和区 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3 1.5 IB=0 40?A 60?A 80?A 100?A Q1 Q2 放 大 区 ⑴放大区（线性区） ⒉ 输出特性曲线 ②e结正偏、c结反偏。 截止区 14.5 晶体管 ① ，IC近似恒定。 ⑵截止区 ①IB=0的曲线以下的区域。 ③IC≈0，发射极与集电极之间如同一个开关的断开。 ②e结与c结均反偏。 ⑶饱和区 14.5 晶体管 饱和区 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3 1.5 IB=0 40?A 60?A 80?A 100?A Q1 Q2 放 大 区 截止区 ②e结与c结均正偏。 ③UCE≈0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通。 ①UCE UBE ， 。 可见，晶体管工作在放大状态，具有放大作用；工作在饱和状态或截止状态，具有开关作用。 静态电流(直流)放大系数： 动态电流(交流)放大系数： 当晶体管接成共发射极电路时，在静态（无输入信号）时，有 14.5.4 主要参数 14.5 晶体管 晶体管的参数可以表示晶体管的特性，也是设计电路、选用晶体管的依据。 ⒈ 电流放大系数 ， 在动态（有输入信号）时，有 14.5 晶体管 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间 20?A 3 6 IC/mA 1 2 3 4 UCE/V 9 12 O 2.3 1.5 IB=0 40?A 60?A 80?A 100?A Q1 Q2 例：如图给出3DG100晶体管的输出特性曲线，⑴计算Q1点处的 ；⑵由Q1和Q2两点，计算 。 解： ⑴ ⑵ 和 的含义不同，但在输出特性曲线近于平行等距且ICEO较小的情况下，两者数值较为接近（ ）。 ⒉ 集-基极反向截止电流 ICBO ⒊ 集-射极反向截止电流ICEO （又称穿透电流） ICBO是当发射极开路时由于集电结处于反偏，集电区和基区中的少数载流子向对方运动所形成的电流。它受温度的影响大，其值越小越好。 ⒋ 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC 超过一定值时，晶体管的 ? 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流。 14.5 晶体管 ICEO是当基极开路、集电结处于反偏和发射结处于正偏时的集电极电流，其值越小越好。 回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出 * 回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出 * 回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.2 PN结及其单向导电性 14.1 半导体的导电特性 14.6 光电器件 理解PN结的单向导电性；了解二极管、稳压二极管和晶体管的基本构造、工作原理和主要特性曲线，理解主要参数的意义；理解晶体管的电流分配和放大作用。 PN结的单向导电性，半导体三极管电流分配和放大作用。 半导体三极管电流分配和放大作用，工作原理和主要特性曲线。 讲课4学时，习题1学时。 半导体的导电特性 掺杂性：在纯净的半导体中掺入微量杂质，半导体的导电能力增加几十万乃至几百万倍（据此可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、晶体管等）。 光敏性：当受到光照时，半导体的导电能力显著增强 （据此可做成各种光敏元件，如光敏二极管等） 热敏性：当环境温度增高时，半导体的导电能力显著增强（据此可做成各种热敏元件，如热敏电阻等）。 14.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 共价健 硅原子 价电子 共价键：每一原子的一个价电子与另一原子的一个价电子组成一个电子对。 14.1 半导体的导电特