Y[物理]电容对电源影响.pdf

EMI 及无 Y 电容手机充电器的设计 Adlsong 摘要：本文首先介绍了关于 EMI 常规知识以及在开关电源中使用的 各种缓冲吸引电路。然后介绍了在 EMI 中和传导相关的共模及差模 电流产生的原理，静点动点的概念，并详细的说明了在变压器的结 构中使用补偿设计的方法。最后介绍了 EMI 的发射产生的机理和频 率抖动及共模电感的设计。 目前，Y 电容广泛的应用在开关电源中，但 Y 电容的存在使输入和 输出线间产生漏电流。具有 Y 电容的金属壳手机充电器会让使用者 有触电的危险，因此一些手机制造商目前开始采用无 Y 电容的充电 器。然而摘除 Y 电容对 EMI 的设计带来了困难。具有频抖和频率调 制的脉宽调制器可以改善 EMI 的性能，但不能绝对的保证充电器通 过 EMI 的测试，必须在电路和变压器结构上进行改进，才能使充电 器满足 EMI 的标准。 1 EMI 常识 在开关电源中，功率器件高频开通关断的操作导致电流和电压的快 速的变化是产生EMI 的主要原因。 在电路中的电感及寄生电感中快速的电流变化产生磁场从而产生较 高的电压尖峰： u Ldi / dt L L 在电路中的电容及寄生电容中快速的电压变化产生电场从而产生较 高的电流尖峰: i Cdu / dt C C 图 1: Mosfet 电压电流波形 Adlsong AN 磁场和电场的噪声与变化的电压和电流及耦合通道如寄生的电感和 电容直接相关。直观的理解， 减小电压率du/dt和电流变化率di/dt及 减小相应的杂散电感和电容值可以减小由于上述磁场和电场产生的 噪声，从而减小EMI干扰。 1.1 减小电压率du/dt和电流变化率di/dt 减小电压率du/dt和电流变化率di/dt可以通过以下的方法来实现：改 变栅极的电阻值和增加缓冲吸引电路，如图2和图3所示。增加栅极 的电阻值可以降低开通时功率器件的电压变化率。 D R1 R2 图 2: 栅极驱动电路 图3 中，基本的RCD箝位电路用于抑止由于变压器的初级漏感在开关 管关断过程中产生的电压尖峰。L1 ，L2 和L3可以降低高频的电流的 变化率。L1和L2只对特定的频带起作用。L3对于工作于CCM模式才 有效。 R1C1 ，R2C2 ，R3C3 ，R4C4 和 C5可以降低相应的功率器件 两端的高频电压的变化率。 所有的这些缓冲吸引电路都需要消耗一定功率，产生附加的功率损 耗，降低系统的效率；同时也增加元件的数日和PCB 的尺寸及系统 的成本，因此要根据实际的需要选择使用。 图 3: 缓冲吸引电路 Adlsong AN 1.2 减小寄生的电感和电容值 开关器件是噪声源之一，其内部引线的杂散电感及寄生电容也是噪 声耦合的通道，但是由于这些参数是器件固有的特性，电子设计和 应用工程师无法对它们进行优化。寄生电容包括漏源极电容和栅漏 极的Miller 电容。 变压器是另外一个噪声源，而初级次级的漏感及初级的层间电容、 次级的层间电容、初级和次级之间的耦合电容则是噪声的通道。初 级或次级的层间电容可以通过减小绕组的层数来降低，增大变压器 骨架窗口的宽度可在减小绕组的层数。分离的绕组如初级采用三明 治绕法可以减小初级的漏感，但由于增大了初级和次级的接触面 积，因而增大了初级和次级的耦合电容。采用铜皮的Faraday屏蔽可 以减小初级与次级间的耦合电容。Faraday屏蔽层绕在初级与次级之 间，并且要接到初级或次级的静点如初级地和次级地。Faraday屏蔽 层使初级和次级的耦合系数降低，从而增加了漏感。 2 传导干扰 2.1 LISN EMI