四探针测试仪测量薄膜[物理]电阻率(002).pdfVIP

四探针测试仪测量薄膜的电阻率 一、 实验目的 1、掌握四探针法测量电阻率和薄层电阻的原理及测量方法； 2 、了解影响电阻率测量的各种因素及改进措施。 二、实验仪器 采用SDY-5 型双电测四探针测试仪 （含：直流数字电压表、恒流源、电源、 DC-DC 电源变换器）。 三、实验原理 电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一。测量电阻率的方法很 多，如三探针法、电容 电压法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的 标准方法，在半导体工艺中最为常用。 1、半导体材料体电阻率测量原理 在半无穷大样品上的点电流源， 若样品的电阻率ρ 均匀， 引入点电流源的 探针其电流强度为I，则所产生的电场具有球面的对称性， 即等位面为一系列以 点电流为中心的半球面，如图1 所示。在以ｒ为半径的半球面上，电流密度ｊ的 分布是均匀的： 若E 为ｒ处的电场强度， 则： 图1 点电流源电场分布 由电场强度和电位梯度以及球面对称关系， 则： d I E  d Edr  2 dr dr 2r 取ｒ为无穷远处的电位为零， 则：  (r ) r  r dr  d  Edr  2 0  2  r l  (r) （1） 2r 图2 任意位置的四探针 上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为ｒ的点的电位与探针流 过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流源对距离ｒ处的点的电势 的贡献。 对图2 所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针1 流入，从探针4 流出， 则可将1 和4 探针认为是点电流源，由 1 式可知，2 和3 探针的电位为： I 1 1 I 1 1  2 (  )  3 (  ) 2 r r 2 r r 12 24 13 34 2 、3 探针的电位差为： I 1 1 1 1 V   (    ) 23 2 3 2 r r r r 12 24 13 34 此可得出样品的电阻率为： 2V 1 1 1 1 1  23 (    ) I r r r r 12 24 13 34