上海复旦大学半导体器件物理教学讲义 第二部分.pdf

1/149 半导体器件原理 主讲人：蒋玉龙 本部微电子学楼312室 Email: yljiang@ 21 2/149 第二章双极型晶体管 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理 2.3 直流特性 2.4 反向特性 2.5 晶体管的模型 2.6 频率特性 2.7 开关特性 3/149 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布1 2.1.1 晶体管的基本结构 发射区基区 集电区 发射区基区 集电区 E C E C + + n p n p n p B B E C E C B B npn pnp 4/149 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布2 2.1.2 制造工艺 合金管 平面管 5/149 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布3 2.1.3 杂质分布 均匀基区 缓变基区 自建电场 基区内载流 扩散 子传输方式 扩散 + 漂移 扩散型晶体管 漂移型晶体管 6/149 第二章双极型晶体管 2.1 基本结构、制造工艺和杂质分布 2.2 电流放大原理 2.3 直流特性 2.4 反向特性 2.5 晶体管的模型 2.6 频率特性 2.7 开关特性 7/149 2.2