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一种新型过流保护电路的设计研究 　　摘要：本文提出的过流保护电路利用运算放大器虚短虚断的原理大大提高了对输出电流的采样精度，从而提高了电路的可靠性；并通过增加的折回电路，有效降低了LDO（Low Drop-Out）系统的过流关断功耗。本电路基于TSMC 0.6μm CMOS 工艺设计，进行了应用于LDO的Spectra 仿真，结果表明该过流保护电路可靠性高、过流关断功耗低。 　　关键字：过流保护，LDO，可靠性，折回电路 　　 　　1．引言 　　 　　 随着电子技术的飞速发展，DC/DC变换器已广泛应用于各种移动电子系统中，如移动通信终端、便携式电脑、PDA等等。而LDO线性稳压器作为DC/DC变换器的一种，由于其结构简单、成本低廉、噪声低、功耗低及封装尺寸较小等优点，在便携式电子产品中得到广泛应用。 　　 LDO中的过流保护技术一直是影响LDO系统稳定运行的关键。过流保护的目的是为了把输出电流限制在一个固定的范围内，在输出短路或过载时对整个系统或负载进行保护。然而，目前比较常用的过流保护电路都存在一些诸如可靠性、过流关断功耗等问题，限制了这些过流保护电路的应用范围。本文提出的过流保护电路，不仅具有可靠的过流保护功能，而且成功地解决了传统过流保护电路中存在的可靠性、过流关断功耗等问题。本文分析了这种新型过流保护电路的工作过程和原理，同时给出基于TSMC 0.6m CMOS 工艺的该电路设计的Spectra仿真结果。 　　 　　2．常用的过流保护电路 　　 　　 图1中所示的过流保护电路是一种比较早出现的CMOS过流保护电路。如图1所示，Mp为调整管，R0为采样电阻，R0和M1一起构成过流保护电路。因为流过R0的电流近似等于输出电流Iout ，所以R0上的压降与输出电流Iout成正比。M1的栅源电压： 　　 　　正常工作情况下，M1的栅源电压 　　 VGS1VTH1 ，M1处于截止状态，调整管Mp的栅极电位由系统的放大电路输出决定。当输出电流Iout增大到一定值时VGS1VTH1，M1导通，把Mp的栅极电位拉高，把输出电流限制在一定值，从而达到过流保护的目的。 　　但是这种过流保护电路存在两个问题：第一，由于采样电阻R0上的压降损失，降低了系统的转换效率，特别是在大负载的情况下，这种损失更为严重；第二，因为过流发生时，电路只是把通过调整管的电流限制在一定值，所以电路仍然有很大的功耗。 　　 图2所示的是另外一种比较常用的过流保护电路。如图2所示，Mp为调整管，过流保护电路的主体由比较器（比较器的正端接基准电压Vref），PMOS管M1、M2，采样电阻R0和晶体管Q0组成。取样管M2对流过调整管Mp的输出电流Iout进行取样，因此，M2的漏电流I2反映了Iout的变化。A点电压： 　　 　　正常工作情况下，A点电压VA Vref ，比较器输出变为低电平，M1管导通，调整管Mp的栅极电位被拉高，输出电流被钳制在一定值，从而达到过流保护的目的。 　　 区别于图1中所示的传统过流保护电路，图2中所示过流保护电路的采样电阻R0不和调整管Mp串联，没有损失压降，因此，大大提高了转换效率。但是此电路仍然存在一些不足：第一，虽然Mp和M2的栅源电压都相等，但是此电路并不能保证Mp和M2的漏电压相等，因此，M2对输出电流的采样不精确，从而导致系统的可靠性不高；第二，过流发生时，流过调整管的电流被限制在一个比较大的定值，因此，系统仍然存在比较大的功耗。 　　 　　3．新型过流保护电路 　　 　　 为了解决过流保护电路中的可靠性和过流关断功耗问题，本文提出了一种新的过流保护电路。如图3所示，Mp为调整管，过流保护电路的主体由比较器（比较器的正端接基准电压源Vref），PMOS管M1、M2，NMOS管M3、电阻R0构成。取样管M2对通过调整管Mp的电流进行取样，因此，M2的漏电流I2反映了输出电流Iout的变化。 　　为了保证过流保护电路对输出电流精确取样，提高过流保护的可靠性，本设计利用运算放大器的虚短虚断特性在M2的漏极构成一个负反馈电路，负反馈电路由M3和运算放大器构成。当Vout降低时，M3管栅极电位升高，A点电位下降，反之亦然。此负反馈电路使得A点电位随输出电压的变化而变化，保证了M2对流过Mp电流的精确取样，提高了过流保护的可靠性。R0上的压降为： 　　 　　正常工作情况下，R0上的压降VR0 Vref ，比较器输出低电平，M1导通，把调整管的栅极电位拉高，把输出电流限制在一个定值，从而达到过流保护的目的。 　　但是，把输出电流限制在一个定值，电路仍然会有很大的功耗。为了降低功耗，必须在过流发生时使得输出电流随输出电压的降低而降低。本设计增加了由M4、M5、M6、M7、M8、R3、