半导体材料的基本特性参数.ppt

第二章 半导体材料的基本特性参数 基本属性参数：禁带宽度Eg、临界雪崩击穿电场强度Et、介电常数ε、载流子饱和速度Vs； 基本特性参数：载流子迁移率μ、载流子密度n(p)、少数载流子寿命τ； 2.1 迁移率 弱电场下，μ为常数；强电场下，μ随电场增加而减小； 双极器件电流密度方程 爱因斯坦方程 影响载流子迁移率的因素 散射对载流子的迁移率具有重要影响，主要的散射机构有：晶格振动散射、电离杂质散射、载流子之间的散射、等同能谷间的散射等； 晶格振动散射 晶格振动：格子基本波动的叠加； 在轻掺杂下起主要作用； 声子：量子化的基本能量单元； 光学支和声学支；横振动和纵振动； 两个常用的经验公式 电子迁移率： 空穴迁移率： 电离杂质散射 载流子之间的散射 相同极性散射影响小；不同极性影响大； 对双极型器件的影响大： 温度的影响 强电场下的载流子散射 弱电场下，u是常数；强场下 ， u 是E的函数；不同材料，标准不同； 两种趋势：随E增大，Vd增速减缓，最终趋于饱和；随E增大，Vd增速减缓,E进一步增大， Vd减小，出现负微分迁移现象； 热载流子效应 迁移率与外场的关系 强场下下，即： 时，有 漂移速度的表示 弱电场下：Vd=uE 强电场下，以声学声子交换能量时： 更强的电场下，以光学声子交换能量时： 通用的载流子迁移率的表示 负微分迁移效应 以GaAs为例，当外加电场达到103～104，出现的漂移速度突然减小的现象。 表面迁移率 表面散射：各种与表面相关联的因素对载流子迁移率的附加影响； 越靠近表面，影响越大，对电子影响大于空穴； 2.2 载流子密度和电阻率 由上式可知，ρ与掺杂浓度密切相关，可作为半导体纯度的反映； 单边突变结 单边突变解：掺杂浓度相差很大，一般三个数量级以上； 结宽: 器件击穿 雪崩击穿： 高电压击穿； 条件： 足够高U和适当的WK 热电击穿： 反向U下，高电流密度产热，热又增加载流子密度，电流增大，产热增多，如此循环，JS无限增大击穿； 隧道击穿：由于隧道效应的击穿，大的反向U,窄的空间电荷区 单边突变结的穿通 单边结：承受高反压，传导大电流； 相对于击穿，更易穿通，由于杂质分布不均，击穿之前，低掺杂区局部穿通； 取决于轻掺杂层的Wn和最高电阻率ρmax 非简并半导体载流子密度统计 简并半导体的载流子密度统计 载流子来源 本征载流子：本征热激发； 掺杂载流子：n型掺杂和p型掺杂； 注入载流子：光注入和电注入； 决定本征载流子浓度的因素 NC、NV是温度的函数， NC、NV T 3/2 禁带窄化 本征或轻掺杂半导体中，导带、价带、禁带之间界限清晰； 重掺杂（杂质原子百分比≥1/1000）时，会出现禁带窄化效应； 杂质原子近距减小，相互作用增强，能带出现杂化，能级分裂成能带； 2.3 少数载流子寿命 平衡状态下，载流子的产生与复合是动态平衡的； 光照、电场等外加激励都会引起非平衡载流子的注入； 少子寿命是从非平衡态恢复到平衡态的时间； 非平衡载流子密度远少于多子，大于少子，故其影响主要是非平衡少子的影响 非平衡载流子的复合机制 直接复合：直接在导带与价带之间的复合； 间接复合：通过禁带中的复合中心的复合； 表面复合：发生在表面的复合； 复合过程中的能量转移 发射光子，即辐射复合； 发射声子，能量转化为晶格振动，发射声子； 激发另外的电子或空穴，即俄歇复合； 直接复合寿命 直接禁带复合快于间接禁带； 寿命： 其中，B为复合系数： 间接复合寿命 陷阱效应 杂质（缺陷）能级显著积累非平衡载流子的效应；常见少子陷阱； 电子陷阱：rnrp;空穴陷阱:rprn； 影响：显著影响少子寿命 俄歇复合寿命 小注入的俄歇复合寿命 多种复合共同作用的寿命 不可能只有一种机构独立作用，即使多种机构共存，往往只有一种其主要作用； 少子寿命与器件特性 半导体器件工作过程中，同时存在漂移、扩散、复合； 漂移：电场力的作用，外加或内建电场； 扩散：载流子浓度梯度； 与少子寿命相关的器件特性： 阻断特性、开关特性、导通特性等； 少子寿命与阻断特性 耗尽近似的空间电荷区是阻断作用的主功能区，是不稳定的非平衡态，其恢复平衡态的趋势的强弱（用少子寿命τ衡量），影响阻断特性； 由反向扩散电流：