上海大学半导体器件第二章P-N结.ppt

小结 1．PN结二极管具有开关作用。 2．当加一恒定的正向偏压时，载流子被注入并存储在PN结二极管中。这种现象称为电荷存储。当正偏压突然转换至反偏压时，在稳态条件下所存储的载流子并不能立刻消除。 3．PN结在开关过程中表现出来的电流和电压的延迟现象称为PN结的反向瞬变。反向瞬变现象起源于PN结的电荷存储效应。 4．PN结反向瞬变现象可以根据与时间有关的少数载流子分布示意图进行定性和半定量的解释。 5．用电荷控制分析方法得到的存储时间为 (2-9-7) 通过解依赖于时间的连续性方程得到的存储时间为 (2-9-8) 电荷控制分析是一个合理的近似。 6．若P’N二极管轻掺杂一侧的杂质浓度为 (2-9-9) 则内建电场E为 (2-9-10) a＞0时，内建电场沿着-x方向。当二极管由正向偏置转换到反向偏置之后，内建电场E将加速注入少子流入空间电荷区，ts将缩短。在全部存储电荷被去除之前，PN结N区边界x＝xn处的注入少子空穴浓度是达不到零的，二极管将突然转换到它的高阻态，具有这种特性的二极管称为阶跃恢复二板管。 2．10 PN结击穿 1．掌握概念：PN结击穿、齐纳击穿、雪崩击穿、电离率、雪崩倍增因子、电离积分。 2．导出雪崩倍增因子和雪崩击穿判据的表达式(2-10-9)和(2-10-10)。 3．能够使用通用公式(2-10-15)计算PN结的击穿电压。 4．导出式(2-10-17)并说明其物理依据。 在器件设计中要考虑的最重要问题之一是结的击穿。 当反偏电压增加到一定数值时，PN结的反向电流会急剧增加，这种现象称为PN结击穿(junction breakdown)。 击穿过程并非都具有破坏性，只要最大电流受到限制，它可以长期地重复。 在早期的研究中，PN结击穿是在齐纳(Zener)的场发射理论基础上作出解释的。 齐纳提出，在高电场下耗尽区的共价键断裂产生电子和空穴，即有些价电子通过量子力学的隧道效应从价带转移到导带，从而形成反向隧道电流，这种机制称为齐纳击穿。 后来发现，齐纳模型只能描述具有低击穿电压的结。对于在高电压下击穿的结(如在硅中击穿电压大于6V)，雪崩(avalanche)机制是产生击穿的原因。由于大多数结是通过雪崩过程达到击穿的，所以这里的讨论将仅限于这种效应。 考虑如图2-23所示的一反偏结的空间电荷区。在N区的一个杂散空穴进入空间电荷区，在它掠向P区的过程中，从电场获得动能。空穴带着高能和晶格碰撞，可以从晶格中电离出一个电子从而产生一个电子-空穴对。在第一次碰撞之后，原始的和产生的载流子将继续它们的行程，并且可能发生更多次的碰撞，产生更多的载流子，结果使载流子的增加是一个倍增过程，这种现象称为雪崩倍增(avalanche multiplication)或碰撞电离(impact ionization)。 图2-23 由从N侧注入一个空穴开始的在空间电荷区的雪崩倍增 一个电子(空穴)在单位距离路程上所产生的电子-空穴对数称为电子(空穴)的电离系数(ionization rate)。电子的电离系数?(x)和空穴的电离系数?(x)都是电场强度的函数，在一般情况下它们是不相等的。然而，为了推导的简化，在下面的分析中，将假设?(x)和?(x)相同。 考察图2-24中的物理图像。没有发生碰撞电离的载流子是以Ip(0)、In(W)和空间电荷区产生项G引入空间电荷区的。Ip(0)+In(W)就是饱和电流I0。I0+IG就是PN结的反向电流。发生碰撞电离之后，反向电流将增加为M(I0+IG)。从理论上说，当M接近无限大时雪崩击穿就发生了。M称为雪崩倍增因子(multiplication factor)。下面考察图2-24中发生的物理过程，分析雪崩过程的物理机制以及和雪崩倍增因子有关的因素。 图2-24 在