晶闸管课程设计报告（最终）无名.doc

PAGE 2 晶闸管课程设计报告 KP500A/4200V大功率晶闸管管芯的设计 目 录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc 一、题目及设计指标 PAGEREF _Toc \h 2 HYPERLINK \l _Toc 二、 晶闸管管芯的理论设计 PAGEREF _Toc \h 2 HYPERLINK \l _Toc 1.纵向参数的设计 PAGEREF _Toc \h 2 HYPERLINK \l _Toc (1)基区电阻率与宽度的设计 PAGEREF _Toc \h 2 HYPERLINK \l _Toc (2)区、区以及区参数的估算 4 HYPERLINK \l _Toc (3)片厚的计算 5 HYPERLINK \l _Toc 2.触发参数的设计 5 HYPERLINK \l _Toc (1)放大门极结构设计准则 5 HYPERLINK \l _Toc (2)短路点的设计 6 HYPERLINK \l _Toc 3.横向参数的设计 7 HYPERLINK \l _Toc (1)正负斜角的确定 7 HYPERLINK \l _Toc (2)磨角变宽的确定 7 HYPERLINK \l _Toc (3)求阴极的有效面积 8 HYPERLINK \l _Toc (4)阴极外径的确定 8 HYPERLINK \l _Toc 4.耐量的验算 8 5.版图设计9 6.仿真结果10 HYPERLINK \l _Toc 三、课程设计体会 12 一、题目及设计指标 本次课程设计的题目是采用最薄基区优化设计方法设计带有中心门极、放大门极和短路点的KP500A/4200V大功率晶闸管管芯，具体参数如下： 正、反向断态重复峰值电压 额定正向平均通态电流 门极触发电流 门极触发电压 断态电压I临界上升率 额定结温 平板式风冷或水冷 二、 晶闸管管芯的理论设计 1.纵向参数的设计 (1)基区电阻率与宽度的设计 晶闸管的设计是一线复杂的工作，因此在设计之前定好设计思路，会对以后的理论计算有很大帮助，本次设计的总体思路如下图所示： 图一：晶闸管设计的总体思路 晶闸管的正、反向转折电压分别为和，它们由雪崩击穿电压和电流放大系数和所限定。雪崩击穿电压主要由基区的电阻率决定，而和则与两个晶体管的有效基区宽度相关，所以硅片的厚度和基区的电阻率决定了晶闸管的击穿电压，而具有阴极短路点的晶闸管，认为正反向转折电压是相等的。 根据设计指标要求，电压定额为，于是转折电压 也称为功率转换因子，根据实践经验当VBO在1000V~2500V范围内时，采用 较为合适，本设计超出上述范围故采用日本东芝公司提出的λ与VBO之间的关系式求解功率转换因子： 将算好的带入公式中可得： 是材料的雪崩击穿电压，它的值会影响到晶闸管的正反向耐压的大小，由最佳化比值可以推出： 确定了雪崩击穿电压后就可以计算出最佳电阻率，由上面推出的公式，取C=100，可得区的电阻率 由区电阻率计算出区参杂浓度： 接下来计算J1或J2结空间电荷区在N1侧的展宽Xmn1 在确定结空间电荷区在N1侧的展宽Xmn1可以进一步确定最佳长基区宽度和有效长基区宽度： 少子寿命能够影响到阻断电压、漏电流、通态压降和关断时间等一些特性。一般来说，取值大些较好，有利于减小正向压降和提高过载能力；但是增加相应的也应改变大，而且电阻率的最佳范围也在往高电阻率方向移动，反过来又会影响到正向压阵，另一方面，值较大，器件关断时间增长，所以τp值的大小应由正向压降、过载能力、关断时间以及制造工艺的可能性等因素决定： 故求得N1区参数：、、，掺杂浓度 (2)区、区以及区参数的估算 断基区的薄层电阻R□是晶闸管设计的关键参数之一，它直接由一次扩散的结深及浓度分布和二次扩散结深决定。同时，为了保证正向特性，N2发射区应有较高的发射效率，并要求二次扩散与一次扩散的表面浓度之比控制在一定范围，以使得触发特性也较好。 因没有一套精确的设计方程组，通常采用已有经验选定参数，然后验算是否符合电学参数的要求进行调整： ①区、区参数的选取 一次扩散结深选取为，并取扩散层的表面薄层电阻，由此求出P1、P2扩散层平均电阻率及平均电导率： 查余误差分布的表面浓度和平均电导率的关系曲线，可得到一次扩散的表面浓度。 ②区参数的选取 二次扩散的结深选取为，其表面的薄层电阻R□2＝0.45Ω/□，由此求的N2层的平均电阻率及平均电导率为 查高斯分布的表面浓度和平均电导率的关系曲线，得到N2区的表面浓度，以及平均浓度为： ③P2基区参数的选定 P2短基区宽度由两次扩散结深决定：，因一次扩散的表面浓度为，按同一关系曲线图，按查出对应的