铁电材料bi4ti3o12的改性跟氧空位的弛豫跟钉扎行为探究.pdfVIP

摘 掺杂和替代是改善铁电性能的一个有效手段，被广泛应用于新材料的探索。 铁电存储器(FeRAM)是一种新型存储器，具有高密度、不挥发、抗辐照、存取 速度快、功耗低和使用寿命长等优点。Bi4Ti3ol:BI〔T)是一种应用于FeRAM器件 的具有Bi 系层状钙钦矿结构的铁电材料，具有很大的自发极化(P厂40~ 5即/ccmZ)，通过对其进行A位或者B位替代，可以得到性能非常优越的铁电材 料。另外，氧空位广泛存在于氧化物材料中，它的存在对铁电材料的性能有着重 要的影响，对氧空位信息的掌握将有助于我们对铁电材料改性的理解。因此，本 论文主要着眼于铁电材料的掺杂改性和氧空位的研究。 目前，关于高价态B位掺杂所引起的抗疲劳性能的改善和剩余极化强度的 提高主要被归结为氧空位浓度的减少和由于掺杂离子半径大于Ti4+离子半径而 引起的TIO6八面体畸变的增大。为了较为深入地研究B位元素的掺杂机制，避 免掺杂离子价态影响，我们采用与Ti4+离子相同价态的rz4+和H俨十离子进行掺杂。 介电测量表明，zr和Hf的掺杂并没有影响陶瓷内部氧空位的浓度，而电滞回线 测试表明等价B位掺杂同高价B位掺杂一样可以提高材料的剩余极化值，其中 BTH的剩余极化值甚至超过了高价态B位掺杂的材料，达到了43拜/ccm，，其抗 疲劳特性也有不同程度的提高。基于轨道杂化和氧空位激活能，我们对B位掺 杂机制进行了讨论。 由于A位掺杂和B位掺杂均可以提高材料的铁电性能，因此我们制备了AB 位共同掺杂的BNTW薄膜，并系统地研究了其晶粒大小、Ramna谱、介电性能、 电滞回线、开关特性、漏电性能、抗疲劳性能和保持特性等随W掺杂量的变化， 基于氧空位和Bi空位对材料铁电性能影响的竞争，给出了一定的解释。 氧空位极大地影响着材料一的性能，因此对氧空位的研究就显得非常有意义。 我们通过不同的氧处理和掺杂，证明了BIT陶瓷温度介电损耗谱中的弛豫峰是由 氧空位引起的。在此基础上提出了氧空位关联运动的设想，利用Cole一Coel关系 对该弛豫峰拟合所得到的展宽因子，表征了氧空位之间的关联性。这种关联性被 认为普遍存在于材料的氧空位之间，因此氧空位在疲劳过程中的跃迁运动会表现 出一种集体行为而非单一行为。氧空位之间的关联性与氧空位的浓度成正比，与 氧空位的激活能成反比。 基于力学损耗与介电损耗的相似性，我们研究了不同气氛退火处理后的BNT 陶瓷的力学损耗谱，并观察到了两个内耗峰P(1和P)2，对比介电损耗谱，我们 认为P]峰是由氧空位在材料内部不等价位置之间的跃迁引起的(如同YBCO)，而 PZ峰则对应于氧空位与90畴壁之间的相互作用。通过比较BIT和BNT陶瓷的 温度内耗谱，我们认为9。”畴壁对氧空位具有吸收性，且吸收性的强弱与9了畴 壁的形貌有关，从而很好的解释了为什么弯曲的90 畴壁对应于良好的抗疲劳特 性而平直的9『畴壁则对应于较差的抗疲劳特性。 最后，研究了不同晶化温度和气氛下，BNT薄膜的开关特性，提出了BNT 薄膜中生长为主的开关机制，不同于SBT薄膜中成核为主的开关机制。修正了用 来描述瞬时开关电流密度的Kolmogrovo一勺Tami(K一A)关系式，利用这一关系式对 B汀薄膜疲劳过程中瞬态开关电流曲线的拟合，发现ID畴生长的比率在增加而 ZD畴生长的比率在减少，这表明在疲劳的过程中，缺陷将优先钉扎ZD畴的生 长，这对于理解铁电薄膜开关机制以及铁电畴的钉扎很有意义。 关键词: 铁电材料，Bi系层状钙钦矿结构，氧空位，介电弛豫，内耗，9扩畴界、开关特 性 AbstraCt Substi皿ionordoPingisnaeffectivewayniimProvingferroelcerticProPreties nadhasbenewidelyusdeinhtexePloringofnewmatreialsFerroelcetric accessmmeo砂(FeRAM)isanwe帅eofmmoe rywihthihgdnesiyt，non一volatile， radiatinohardness，afst即cesssPede，Iwo Powre cnosmuPtion，andlonglifetime chraac treisticsBi4Ti3012(BIT)isakind ofBi一layeredPerovskitesurtcutre 丘即elecrticma