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PAGE PAGE 2 1、光通量：单位时间辐射光能量的多少，单位流明(LM)。 2、LED发展背景 1879年爱迪生发明白炽灯，是第一代电光源的代表产品。 1911年美国发明家Peter Cooper Hewitt申请低压汞灯的专利，该灯是现今荧光灯的雏形。如今，荧光灯的光效达到65~100lm/w，荧光灯是第二代电光源。 1961年GE的Gilbert Reiling申请第一个金属卤化物灯专利，并在1964年的世博会展出。HID（High Intensity Discharge）被认为是第三代电光源。 发光二极管LED （Light Emitting Diode）被认为是第四代电光源。 3、光照度：即通常所说得勒克司度（lux），表示被摄主体表面单位面积上受到的光通量。 1勒克司相当于1流明/平方米，即被摄主体每平方米的面积上，受距离一米、发光强度为1烛光的光源，垂直照射的光通量。光照度是衡量拍摄环境的一个重要指标。 4、术语缩写 （1）气相外延（VPE ，Vapor Phase Epitaxy）； （2）MOCVD（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉积）； （3）低压金属有机物化学气相沉积(LPMOCVD) （4）双气流金属有机物化学气相沉积(TFMOCVD) （5）金属有机源（Metal Organic）简称为MO源，是LED产业链的源头材料 （6）卤素灯（Halogen Lamp） （7）NTSC彩色电视广播标准 （8）ITO 是Indium Tin Oxides的缩写，纳米铟锡金属氧化物。铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。 　　ITO 是一种N型氧化物半导体- HYPERLINK /view/3015048.htm \t _blank 氧化铟锡, HYPERLINK /view/2885007.htm \t _blank ITO薄膜即铟锡氧化物半导体 HYPERLINK /view/1516649.htm \t _blank 透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。 　　在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形，其中透光率达90%以上。 （9）HID就是High intensity Discharge 高压气体放电灯的英文缩写，是汞、纳、金、氙灯的统称，即汞灯、钠灯、金卤灯、氙灯。 (10) DRL（Daytime Running Light）, 白天辅助灯; (11) 卤素灯（Halogen Lamp） (12) 光学引擎（light engine） (13) MTBF,即 HYPERLINK /view/497273.htm \t _blank 平均无故障时间，英文全称是“Mean Time Between Failure; (14) MTTR（mean time to restoration， 平均恢复前时间）; (15) PSS （Pattern Sapphire Substrate，蓝宝石图形衬底） (16) ECFA,英文为Economic Cooperation Framework Agreement; 海峡两岸经济合作框架协议 (17) SRP,等离子激元共振 (18) AC-LED( ), 交流发光二极管; (19) HV-LED（ ）,高电压发光二极管; (20) COB（Chip on Board）, 基板上芯片; (21) MCPCB（Metal Core Printed Circuit Board，MCPCB），是指金属基印刷电路板, 即是将原有的印刷电路板附贴在另外一种热传导效果更好的金属上，可改善电路板层面的散热; 5、Haitz定律 安捷伦（LED领域领导厂商）的前任技术科学家Roland Haitz从1965年LED商业化至今的发展历程观察得出，LED的价格每10年将为原来的1/10，性能则提高20倍（年增长率为35%），这个规律被业界称为Haitz定律。 6、用于制造高亮度LED的材料、器件及相应的技术如表1-1所示。 表1-1. 高亮度LED商品技术 材料 技术 颜色 起始年代 AlGaAs LPE,金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 红外、红(880~650nm) 1983 AlGaInP 低压金属有机物化学气相沉积(LPMOCVD) 红、橙、黄、绿(650~570nm) 1991 InGaN 双气流金属有机物化学气相沉积(TFMOCVD) 绿、蓝、紫外(525~385nm) 1993 20世纪90年