第九讲微系统封技术-键合技术.pptVIP

硅片键合技术 硅片键合技术 硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。硅片键合往往与表面硅加工和体硅加工相结合，用在MEMS的加工工艺中。常见的硅片键合技术包括金硅共熔键合、硅/玻璃静电键合、硅/硅直接键合以及玻璃焊料烧结等 金硅共熔键合 金硅共熔键合常用于微电子器件的封装中，用金硅焊料将管芯烧结在管座上。1979年这一技术用在了压力变送器上。金硅焊料是金硅二相系（硅含量为19at.%），熔点为363°C，要比纯金或纯硅的熔点低得多。在工艺上使用时，它一般被用作中间过渡层，置于欲键合的两片之间，将它们加热到稍高于金硅共熔点的温度。在这种温度下，金硅混合物将从与其键合的硅片中夺取硅原子以达到硅在金硅二相系中的饱和状态，冷却以后就形成了良好的键合。利用这种技术可以实现硅片之间的键合 金在硅中是复合中心，能使硅中的少数载流子寿命大大降低。许多微机械加工是在低温下处理的，一般硅溶解在流动的金中，而金不会渗入到硅中，硅片中不会有金掺杂。这种硅-硅键合在退火以后，由于热不匹配会带来应力，在键合中要控制好温度。 　　金硅共熔中的硅-硅键合工艺是，先热氧化P型（100）晶向硅片，后用电子束蒸发法在硅片上蒸镀一层厚30nm的钛膜，再蒸镀一层120nm的金膜。这是因为钛膜与SiO2层有更高的粘合力。最后，将两硅片贴合放在加热器上，加一质量块压实，在