CMOSSRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究.PDF

Vol. 31, No. 2 航 天 器 环 境 工 程 第 31 卷第 2 期 150 SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING 2014 年 4 月 E-mail: htqhjgc@126.com Tel: (010 CMOS SRAM 器件单粒子锁定敏感区的 脉冲激光定位试验研究 1,2 1 1 1 1 1 余永涛 ，封国强 ，陈 睿 ，蔡明辉 ，上官士鹏 ，韩建伟 （1. 中国科学院 国家空间科学中心，北京 100190；2. 中国科学院大学，北京 100049） 摘要：利用脉冲激光定位成像系统，对CMOS SRAM K6R4016V1D 器件开展了单粒子锁定效应（SEL ）敏感 区定位的试验研究。试验结果表明：该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布，而对于单一的SEL 敏感区， 其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论了SEL 敏感区的分布对测试方法和空间SEL 发生频次计算的影响。 关键词：单粒子锁定；敏感区定位；单粒子锁定频次；静态存储器；脉冲激光试验 中图分类号：V416.5; TN432; TN248 文献标志码：B 文章编号：1673-1379(2014)02-0150-04 DOI: 10.3969/j.issn.1673-1379.2014.02.007 Research of SEL sensitive region of CMOS SRAM by pulsed laser mapping facility 1,2 1 1 1 1 1 Yu Yongtao , Feng Guoqiang , Chen Rui , Cai Minghui , Shangguan Shipeng , Han Jianwei (1. National Space Science Center, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China; 2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) Abstract: The pulsed laser mapping facility is used to study the single event latch-up sensitive regions of the CMOS SRAM K6R4016V1D. Experiment results show that the SEL sensitivity mappings of the device have similar repetitive patterns and the individual SEL sensitive region is of high aspect ratio. The impacts of the SEL sensitivity mappings on the SEL ground test methods and the SEL rate prediction are also discussed. Key words: single event latch-up; sensitive region mapping; SEL rate; SRAM; pulsed