西工大电工电子第4节半导体器件.pptVIP

B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电结 发射结 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 实验电路 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 4.3.2 放大作用 结论： 1. IE = IB ＋IC 2. 3. 要使三极管能放大电流，必须满足内部条件：发射区多数载流子的浓度远大于基区多数载流子的浓度，基区要很薄；必须满足外部条件：发射结加正向电压(正向偏置)，集电结加反向电压（反向偏置） 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?-0.2~-0.3V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.6V，锗管0.2V 4.3.3 特性曲线 二、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IC=?IB称为线性区（放大区） 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB 线性放大区 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区 饱和