中子管靶面二次电子抑制.pdfVIP

第 卷 第 期 长安大学学报 自然科学版 ! ! $ % ’,?! 9’?! 年 月 !## ’()*+,’-./+*01+*2*345)6378$9+7()+,:;35*;5=373’*% @+)A!## 文章编号BEGIECJJIF$!##%#!C#E#IC#D 中子管靶面二次电子抑制 王 静 段 萍 H 大连大学 物理系 辽宁 大连 $ H EEGG!!% 摘 要 通过实验给中子发生器的靶的上方加一抑制电压 负电压 使靶表面发射的二次电子受到 B $ %H 抑制 从而使中子管达到更好的工作状态 H