13全控型电力电子器件.pdfVIP

1.3 控型电力电子器件 1.3.1 可关断型晶闸管GTO （Gate-Turn-Off Thyristor ） 1．GTO 的结构和工作原理 与普通晶闸管相似，可关断型GTO 也是P-N-P-N 四层结构、引出A 、K 、G 三个电极， GTO 的电路符号如图1-4 所示。与普通型晶闸管不同的是当GTO 处于导通状态在其门极加 以反向的电流可以将GTO 关断。 既然与普通型晶闸管有相似的结构，GTO 也可以用图1-2 （c ）来等效。试想，如果在 图中V2 的基极和发射极之间加反向电压使其形成反向电流，V1 的集电极电流将被抽出，V2 将由于基极得不到电流而关断，V2 关断后V1 也将得不到由V2 集电极提供的基极电流而关 断。最终使整个器件从导通状态转为阻断状态。要实现这一功能，要求器件导通时 V 、V 1 2 的饱和深度不能过深，这一点对于普通型晶闸管来说，由于制造工艺的限制是做不到的。 GTO 虽然也是P-N-P-N 结构，但一个器件中由许多个微小的P-N-P-N 的单元并联而成，即 所谓多元结构。这样做可以使每一GTO 单元在导通时处于微饱和状态，门极和阴极加反向 电压时内部的等效晶体管容易退出饱和，器件转入关断状态。 K G A 图1-4 GTO 的符号 2 ．GTO 的主要参数 断态重复峰值电压U 和反向重复峰值电压U 以及通态平均电压U 的定义与普 DRM RRM T 通型晶闸管相同，不过GTO 承受反向电压的能力较小，一般U 明显小于U 。擎住电 RRM DRM 流IL 和维持电流IH 的定义也与普通型晶闸管相同，但对于同样电流容量的器件，GTO 的IH 要比普通型晶闸管大得多。GTO 还有一些特殊参数如下。 （1）可关断 大阳极电流IAT0 可以通过门极进行关断的最大阳极电流，当阳极电流 超过IAT0 时，门极则无力通过Ig 将GTO 关断。 （2 ）门极 大负脉冲电流IGRM 为关断GTO 门极可以施加的最大反向电流。 （3 ）电流关断增益 OFF IAT0 与IGRM 的比值， OFF=IAT0/ IGRM 。这一比值比较小，一 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创 炣 般为 5 左右，这就是说，要关断 GTO 门极的负电流的幅度也是很大的。如 OFF=5 ，GTO 的阳极电流为 1000A，那么要想关断它必须在门极加 200A 的反向电流。可以看出，尽管 GTO 可以通过门极反向电流进行可控关断，但其技术实现并不容易。 1.3.2 功率晶体管GTR （Giant Transis